[参考译文] AM26LS32A：-

尊敬的 Ray：

器件本身有一些内部电阻、如果您愿意、可以将这些电阻包含在仿真中。 图 7-5. 外部电阻器比内部电阻器小得多、因此我只会忽略它们。  

Vb-va= 0.39V（超出了+/–200mV 的未定义区域）

但问题是我无法实现|Vb|>|Va|。

确实满足要求。

使用您的值、Vb-VA =–390mV、小于–200mV (Vth-)。如果我们使用此处的最小值、您可以得到大约 190mV 的噪声容限。

随着迟滞、该值变为 240mV。 在大多数系统中、这足以提供失效防护、从而确保 1Y 在开路状态下输出逻辑低电平。

- Bobby

(1) 我看到数据表中的内部电阻标称值为 15K Ω（典型值）。 这听起来对您来说是正确的吗？ 我猜的 A 和 B 输入端是 15K 吗？

这是规定的共模范围内的漏电流。 您可以选择将其建模为最坏的情况。

[引述 userid=“342578" url="“ url="~“~/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1552606/am26ls32a--/5975710 ](2) 我对您所说的不在仿真中包含外部电阻器的内容有点困惑、但这样不会给我带来所需的失调电压吗？

相反、不包括内部寄存器（我说的是忽略内部泄漏）。 560 欧姆<< 100k 欧姆 eq 电阻基本上是 560 欧姆所以 100k 是无关的。  

[报价 userid=“342578" url="“ url="~“~/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1552606/am26ls32a--/5975710 ]（我不是对电路进行仿真，而是仅计算偏置电阻值）。

抱歉、我假设您的电路来自仿真工具。

以下示例、其中使用具有最坏 GND 偏移条件的 12k 内部时对 100 欧姆两端的偏置电压没有太大影响。 在这种情况下、您仍然有很大的抗噪声裕度。  

下面是 VOC 为 2.38V 的基本情况

[引用 userid=“342578" url="“ url="~“~/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1552606/am26ls32a--/5975710 “](3) 听起来使用这些电阻器的值、我将能够在开路条件下确保逻辑低电平输出、但这些偏置电阻器的值不相等的概念呢？ 这会造成任何不平衡的问题吗？

从技术上讲、您会产生比不使用外部偏置的人更强的偏置电压、因此 VOC 实际上将更加稳定。 如果您担心这一点、那么使用带有滤波电容器的分裂端接将为交流频率提供更稳定的 VOC。 您还可以添加共模扼流圈来进一步稳定 VOC。 最后、为确保 VOC 增量不会发射过多、请使用屏蔽双绞线电缆。 不过、我想您可能过于思考、除非绝对需要通过某种 EMI 合规性测试。  

- Bobby