[参考译文] THVD1552：关于 THVD1552 的一些问题

Q1) THVD1552DGSR 信号端子的电容
数据表不包含此信息。 是否有任何可用的测量数据或参考值？

我们不会测量引脚的电容、也不会对引脚施加任何规格限制。 通常您会看到、由于输入引脚是 CMOS 输入、因此输入引脚具有更大的电容、而输出引脚具有更小的电容、因为它们是 CMOS 输出。 对于全双工器件 1552、与差分输出引脚相比、差分输入引脚上的电容可能更高。  

此器件是否在信号引脚上包含 TVS 二极管等保护元件？

是的、差分引脚上有一些保护单元、以确保它们可以处理瞬态事件。 这些是数据表 ESD 表上的规格。

我想确认内部保护的存在/类型、因为这会影响是否需要选择外部 TVS 并影响电容估算。

是的差分引脚上有内部保护器件。 当引脚处于绝对最大额定值范围内时、它们不应偏置。

[quote userid=“221405" url="“ url="~“~/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1560235/thvd1552-some-questions-about-thvd1552

Q3) 其他推荐产品
如果任何产品符合以下条件、请告知。

・如果在信号引脚上集成了保护元件：输入电容≤25 pF
μ・封装类型：SOIC-14（如果可能）

[/报价]

我们的大多数器件都没有输入电容规格。  

从寿命的角度来看、我们通常会推荐 THVD 系列、因为这些是我们采用 12 英寸晶圆技术制造的新器件。  

- Bobby

您好 Bobby、

感谢您的答复。

本问题的背景、在总线上连接多个 THVD1552 器件时、有必要了解对波形上升时间和通信速度的影响、因此我希望知道电容。

如果有 1 和 2 的参考值 (xx pF)、这对我很有帮助。

信号端子 (A–B) 之间的差分输入电容
信号端子与 GND 之间的输入电容（单端电容，A–GND、B–GND）

通常、我认为 IBIS 模型还包含 A 和 B 的电容。THVD152 主页不包含 IBIS 模型。 请提供吗？

此致、

TTD

[引用 userid=“221405" url="“ url="~“~/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1560235/thvd1552-some-questions-about-thvd1552/6007964 ]一般而言、我相信 IBIS 模型还包括 A 和 B 的电容。THVD152 主页不包含 IBIS 模型。 您能提供吗？

我们通常不再为器件生成 IBIS 模型。

我还浏览了整个验证和 ATE 数据库、找不到该器件的任何电容测量值。

- Bobby

您好 Bobby、

感谢您的答复。

我知道没有测量的电容值​​或 IBIS 模型。
那么、在考虑连接 15 个器件时的通信速度（6Mbps 或更高）和波形质量时、我应该使用什么作为参考呢？ 使用 LCR 表（例如订购实际样片）测量电容的唯一方法是什么？

此致、

TTD