器件型号： AM26LV32E
大家好！
即使外围电路没有改变、只是将现有的晶圆厂 (DLN) 替换为晶圆厂 (RFAB) 即可使波形失真。
发送等效电路、传播延迟和示波器波形。
左侧：DLN、右侧：RFAB
CH1：IN+
通道 2：IN-
CH3：A（线路接收器同相输入）
Ch4：B（线路接收器反相输入）
如果信号延迟是一个问题、我认为这与电容分量的变化有关。
CPD 功率耗散电容为单通道 150 pF（典型值）。
1) 流程前后的 CPD 是否有任何差异？ 有多大差异？
2) 测量 Vcc-A/B-GND 之间的电阻值时、结果不同、如下所示。
| 编号 | 指南 应用 |
电阻值 | |
| DLN | RFAB | ||
| 1. | VCC-A | 222k | 130k |
| 2. | B-GND | 222k | 130k |
| 3. | A-GND | 888k | 141k |
| 4. | VCC-B | 546k | 142k |
RFAB 的测量结果是否合理？
如果 RFAB 的特性合理、电阻值的变化范围有多大？
此致、
柳介
您好 Ryusuke、
很抱歉耽误你的时间。
[引述 userid=“551759" url="“ url="~“~/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1597648/am26lv32e-when-fab-dln-is-replaced-with-fab-rfab-the-waveform-becomes-distorted左侧：DLN、右侧：RFAB
CH1：IN+
通道 2：IN-
CH3：A（线路接收器同相输入）
Ch4：B（线路接收器反相输入）
E2E 网站不允许我放大以获得更详细的了解。
您能否将范围截图放入 PowerPoint 并重新上传到 e2e？
1) 进程前后的 CPD 是否有任何差异？ 有多大差异？
如果数据表中实际上并未标注该规格、那么我们实际上并不会测量该规格。
CPD 不是测量的规格、而是一个假定值。 此规格通常与额定功率搭配使用。 这可能是从不同数据表中复制粘贴行项目、因为它们不是数据表中提供的额定功率计算。
[引述 userid=“551759" url="“ url="~“~/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1597648/am26lv32e-when-fab-dln-is-replaced-with-fab-rfab-the-waveform-becomes-distorted2) 测量 Vcc-A/B-GND 之间的电阻值时、结果不同、如下所示。
| 编号 | 指南 应用 |
电阻值 | |
| DLN | RFAB | ||
| 1. | VCC-A | 222k | 130k |
| 2. | B-GND | 222k | 130k |
| 3. | A-GND | 888k | 141k |
| 4. | VCC-B | 546k | 142k |
RFAB 的测量结果是否合理？
如果 RFAB 的特性合理、电阻值的变化范围有多大？
我们不会表征器件引脚的阻抗。 它基本上随 DMM 用于测量它的电压而变化。 由于 ESD 单元、电压较高的 DMM 会导致较高的漏电流、并提供较低的值、该值可能会发生变化。 我之前做过这种测量、发现当我使用手持式 DMM 时、我发现读数比使用台式源表 DMM 时读数要大、该 DMM 给我的值与您的值相似。
您对不同阻抗值的发现就是我们看到的其他客户在运行 ICT 并看到故障时的报告。
- Bobby
