[参考译文] DS90UB964-Q1：如果我将 964 替换为 962、那么软件是否可以保持不变？

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以下是您分享的所提供文本和文档的英文翻译：

### 1. Digi-Key 合规性证书 (COC)

**合规证书**
www.digikey.com
订单 1-800-344-4539 / 1-218-681-6674
传真 1-218-681-3380

701 Brooks Ave. South、P.O. Box 677、Thief River Falls、MN 56701-0677 USA.

**销售对象：**【编辑区域】
**送货地址:**【编辑区域】

*销售订单:** 4574
*发票:** 342.
**客户：** 167N【编辑】
**采购订单：** 183648
**日期：** 2024 年 8 月 28 日
*页面:** 24

*数量:** 10000
**项目编号/信息：** IPP80N04S4L04AKSA1-ND
***制造商:**英飞凌科技
**日期/批次代码：** 2415

上述发货中包括的 Digi-Key 或供应商直接发货产品是从原始制造商处或通过制造商的授权分销商处购买的。 原始制造商保证并证明其生产的产品符合其规格。 支持认证的测试报告（化学，物理，电气等）已存档（位于 Digi-Key，供应商或制造商的工厂）、将应要求提供。 本文件证明此货件符合 Digi-Key 的质量管理系统要求和/或客户与 Digi-Key 商定的采购订单要求。

此认证仅对原始客户有效、不可转让。

如果您有任何疑问、请联系客户服务 800-858-3616。

**签名：**
Marie Sander
客户服务经理 Marie Sander

**日期代码格式键：** MMM-YYYY、YYYYMMDD、YYWW 等（列出了各种格式）

### 2. VBSEMI IPP80N04S4L-04-VB 数据表（英文版）

** IPP80N04S4L-04-VB 数据表**
N 沟道 40V (D-S) MOSFET
www.vbsemi.com

**产品摘要**
V_DS：40V
R_DS (on) V_GS = 10V：5mΩ（典型值）
I_D：110 A
配置：单个
封装：TO-220AB

**功能**
- Trench 功率 MOSFET
- 100% R_g 和 UIS 测试
-符合 RoHS 标准

**应用程序**
-同步整流
-电源

**绝对最大额定值**（T_A = 25°C，除非另有说明）

|参数|符号|限制|单位|
|-------------------------------------------- |----- |----- |----- |
|漏源电压| V_DS | 40 | V |
|栅源电压| V_GS |±20 | V |
|持续漏极电流 (T_J = 175°C) T_C = 25°C | I_D | 110 (a、c)| A |
| T_C = 70°C || 90 (c)| A |
| T_a = 25°C || 31 (b)| a |
| T_a = 70°C || 25 (b)| a |
|脉冲漏极电流| I_DM | 270 | A |
|雪崩电流脉冲| I_AS | 85 | A |
|单脉冲雪崩能量| E_AS | 320 | MJ |
|连续源漏二极管电流 T_C = 25°C | I_S | 110 (a、c)| a |
| T_a = 25°C || 2.6 (b)| a |
|最大功率耗散 T_C = 25°C | P_D | 312 (a)| W |
| T_C = 70°C || 200 | W |
| T_A = 25°C || 3.13 (b)| W |
| T_A = 70°C || 2.0 (b)| W |
|工作结温和贮存温度范围| T_J、T_stg |–55 至 150 |°C |

**热阻额定值**

|参数|符号|典型值|最大值|单位|
|-------------------------------------------- |----- |----- |----- |----- |
|最大结至环境温度（稳态）| R_thJA | 32 | 40 |°C/W |
|最大结至外壳（稳态）| R_thJC | 0.33 | 0.4 |°C/W |

**规格**（T_J = 25°C，除非另有说明）

**静态**
- V_DS：漏源击穿电压→V_GS = 0V、I_D = 250µA→最小值 40、典型值 41、最大值—V
-Δ V_DS/T_J：V_DS→系数→I_D = 250µA°—41—mV/ΔV C
- V_GS (th)：栅源阈值电压→V_DS = V_GS、I_D = 250µA→最小值 1.2、典型值—、最大值 2.5 V
- I_GSS：栅源泄漏→V_DS = 0 V、V_GS =±20 V→——±100 nA
- I_DSS：零栅极电压漏极电流→V_DS = 40V、V_GS = 0V→——1µA
→V_DS = 40V、V_GS = 0V、T_J = 55°C→—10µA
- I_D (ON)：导通状态漏极电流≥V_DS→5V、V_GS = 10V→最小值 120——A
- R_DS (on)：漏源导通状态电阻→V_GS = 10V、I_D = 30A→Ω—6—mΩ Ω
→V_GS = 4.5V、I_D = 20A→—7—mΩ Ω
- G_FS：正向跨导→V_DS = 15V、I_D = 30A→—180—S

**动态**(V_DS = 20V、V_GS = 0V、f = 1MHz)
- C_iss：输入电容→—2900—pF
- C_OSS：输出电容→μ F—750—pF
- C_RSS:反向传输电容→—310—pF
- Q_g：总栅极电荷→V_DS = 20V、V_GS = 10V、I_D = 20A→—130—nC
- Q_GS：栅源电荷→—20—nC
- Q_gd：栅漏电荷→—32—nc.
- R_g：栅极电阻→f = 1MHz→—0.85 1.3Ω

**开关时间**（列出了各种测试条件，例如导通延迟，上升时间等）

**体二极管特性**
- I_S：连续源漏二极管电流→T_C = 25°C→——110 A
- I_SM：脉冲二极管正向电流→——200 A
- V_SD：体二极管电压→I_S = 20A→—0.8 1.2 V
- t_RR：体二极管反向恢复时间→—50 75 ns
- Q_RR：体二极管反向→电荷 µs I_F = 20A、di/dt = 100A/μ s、T_J = 25°C→—70 105 nC

###3. 通用 NMOS 120A 40V 数据表

**NMOS 120A 40V**

**说明:**
此 N 沟道 MOSFET 采用先进的沟道技术和设计、以低栅极电荷提供出色的 R_DS (on)。
它可用于多种应用。

*特性:**
1) V_DS = 40V、I_D = 120A、R_DS (on)< 4mΩ@ V_GS = 10V
2) 低栅极电荷。
3) 绿色设备可用。
4) 先进的高细胞密度沟槽技术,实现超 R_DS(ON)。
5) 优秀的封装,良好的散热。

**绝对最大额定值**（T_C = 25°C，除非另有说明）：

|符号|参数|等级|单位|
|----- |-------------------------------------------- |----- |----- |
| V_DS |漏源电压| 40 | V |
| V_GS |栅源电压|±20 | V |
| I_D |持续漏极电流| 120 | A |
| I_D |持续漏极电流 (T_C=COM 100°C)| 85 | A |
| I_DM |脉冲漏极电流| 330 | A |
| E_AS |单脉冲雪崩能量| 1080 | MJ |
| P_D |功率耗散| 130 | W |
| T_J、T_STG|工作和存储结温范围|–55 至+175 |°C |

***散热特性:**

|符号|参数|最大值|单位|
|----- |-------------------------------------------------------- |----- |----- |
| R_θ θJC |结至外壳的热阻| 1.15 |°C/W |
| R_θ θJA |结至环境热阻|—|°C/W |

**电气特性**（T_C = 25°C，除非另有说明）：

**关闭特性**
- BV_DSS:漏源击穿电压→最小值 40,典型值 45,最大值—V
- I_DSS：零栅极电压漏极电流→最大 1µA
- I_GSS:栅源漏电流→最大值±100 nA

**关于特征**
- V_GS (th)：栅源阈值电压→最小值 1.2、典型值 1.9、最大值 2.5 V
- R_DS (on)：漏源导通电阻→V_GS=10V、I_D=20A→典型值 3.2、最大 4mΩ
→V_GS=4.5V、I_D=10A→5.5 典型值、最大 6mΩ
- G_FS:正向跨导→最小 26 S

**动态特性**
- C_iss：输入电容→5400 pF 典型值
- C_OSS：输出电容→970 pF 典型值
- C_RSS:反向传输电容→380 pF 典型值

**开关特性**
- t_d (on)：导通延迟时间→15 ns（典型值）
- t_r：上升时间→18ns（典型值）
- t_d (off)：关断延迟时间→52 ns（典型值）
- t_f：下降时间→23 ns（典型值）
- Q_g：总栅极电荷→典型值 75nC
- Q_GS：栅源电荷→典型值 10.5nC
- Q_gd：栅漏“米勒“电荷→典型值 17nC

**漏源二极管特性**
- V_SD：源漏二极管正向电压→最大值 1.2V
- I_S:二极管正向电流→最大 120 A
- T_RR：反向恢复时间→42ns（典型值）
- Q_RR：反向恢复电荷→45nC 典型值

或者、您可以访问 www.aceicc.com 并寻求他们的建议；我上次得到了他们的良好回答。

如果您需要进一步翻译、重新措辞或详细解释任何器件、请告诉我！

DS90UB964 12 美元

您好 Justin、

感谢您的答复！

抱歉、我可能表达不正确。 我想将 962 更改为 964。

 所使用的串行器是 DS90UB913、仅使用 1 个 CSI 输出端口。

用法如下：

DS90UB913*4--->DS90UB962（将更改为 DS90UB964）-->仅一个 CSI 输出

  解串器的传入和输出数据完全相同。 在这种情况下、是否需要更改软件？ 我们可以 在 964 上使用原始 962 软件吗？

谢谢。