[参考译文] LM8333：更严格的内部振荡器：从 CLK_IN 到 GND 容差的电阻器

您好、Tyler、   

虽然我们希望获得表征数据、但我们不 需要 这些详细信息。  

CLK_IN 电阻值是否决定内部振荡器频率和 TC？  

要实现指定的±30%内部振荡器变化、需要多少 68kΩ 容差和 ppm？   

我假设 CLK_IN 电阻不能变化±30%、以实现数据表指定的±30%内部振荡器变化。   LM8333  使用什么实用的 CLK_IN 68kΩ 电阻（容差，ppm 或供应商器件型号）？

谢谢你。  

此致、

-菲尔

尊敬的 Phil：

68k Ω 电阻器没有此器件的容差文档、及其对内部振荡器频率和 TC 的影响。  

我假设最好放置一个高精度电阻器 (0.1%至 0.01%)。  

   使用 LM8333 开发了哪些实用的 CLK_IN 68kΩ 电阻（容差，ppm 或供应商器件型号）？

我不确定。 此设备是从 National SEMI 购买的、几乎没有关于 68k Ω 电阻器细节的文档。  

此致、

Tyler

您好、Tyler、  

实际的 CLK_IN 电阻容差是多少？  我被问及、因为 TI 数据表未指明实现指定振荡器频率的要求。   

高精度 68k 电阻（68k±6.8 Ω）不是实际的 tor 此类应用。   

在指定运行条件下、我们需要遵守 LM8333 数据   表的要求、但 LM8333 Texas Instruments 数据表未提供实现所示振荡器频率所需的电阻器要求。  

请提供实用的答案。  

此致、

-菲尔  

尊敬的 Phil：

我没有专门针对 68k 电阻值容差的扩展文档。  

此致、

Tyler

尊敬的 Tyler：   

我们真的希望 Texas Instruments LM8333 具有应用支持。  这个电阻可以小到为 CLK_IN 推荐的 68k 电阻 (0402)。  

不管怎样、我感谢您及时答复。  

此致、

-菲尔   

｛；^)