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[参考译文] TMDS181:HDMI 合规性测试失败

Guru**** 2824025 points

Other Parts Discussed in Thread: TMDS181

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1628370/tmds181-fail-in-hdmi-compliance-test

器件型号: TMDS181

尊敬的 TI 团队:

我们使用 TMDS181 来改善 HDMI 输出。 但现在我们面临 HDMI 合规性测试失败问题。

我们产品的 HDMI 输出支持高达 4K30hz。 在 4K 模式下工作时、测试通过。 但当它在 1080p 模式下工作时、单端电压始终低于限制值、而屏蔽测试通过。

  --在 1080p 模式下,下限值是 2.7V,但测试值总是大约 2.6V。 请参见下面的 pic。

image.png

 

以下是我们有关 TMDS181 的配置:

VSADJ=7.06K

PRE_SEL =无连接

TX_TERM_CTL = 75 至 150Ω

 

我尝试过修改发送端接和摆幅、它是有效的、但当它通过单端电压测试时、眼图模板测试将失败。

请指导我们如何修改? 目前、它正在 GPIO 模式下运行、如果需要、可以在 I2C 模式下工作。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、

    请将 TX_TERM_CTL 保留为 NC、以便它可以根据 HDMI1.4 和 HDMI2.0 更改其终端。 75 Ω 至 150 Ω 用于 HDMI2.0。 开路端接和 150-300 Ω 端接用于 HDMI1.4。

    然后、您可以调优 VSADJ 电阻值、找到一个可同时满足 VL 和 VSWING 合规性要求的电阻。 如果您减小 VSADJ 电阻、VSWING 将增大、但 VL 将减小。 如果您增大 VSADJ 电阻、则 VSWING 将减小、但 VL 将增大。 关键是找到一个可以满足这两项要求的电阻。

    谢谢

    David

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    您好、

    VSADJ 电阻器之后、我们将逐步进行尝试 Re。 但关于 TX_TERM_CTR、我们首先将其设置为 NC、但其性能不令人满意。 如果有任何其他相关配置、请查看以下结果? 请提出建议。

    TX_TERM_CTR = NC

    TX_TERM_CTR = 150Ω 至 300Ω

    TX_TERM_CTR = 75Ω 至 150Ω

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    您好、

    您能否分享 Keysight HDMI 与这些眼图的合规性? 第一个眼图看起来是~5Gbps、第三个眼图看起来是 3Gbps、您是否具有具有相同数据速率和不同 TX_TERM_CTR 的眼图?

    谢谢

    David

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    您好、

    以下 PICS 均在 3840-2160Hz 至 30Hz 条件下进行了测试、可能是秋千上有所不同。 请看一下。  

    我发现当它设置为 自动,眼睛不是很清楚。 都能实现 4K UHD 分辨率。  

    当  TX_TERM_CTR 被设置为“ 150Ω to 300Ω“时,它应该适合我们的应用 — 高达 4k30hz ,并且 VL 始终通过,但我发现眼睛在 4K 中不够好,它总是接触到标记,即使我增加了摆幅。

    当 TX_TERM_CTR 被设置为“VL 75Ω to 150Ω“时, 眼图非常清晰,眼图标记测试没有问题,但 VL 在 1080p 中会过高,正如我在上文所述。

    因此、如果  在 1080p 时将 TX_TERM_CTR 设置为“1080p to 300Ω“、并  在 4K 时设置为“4K 75Ω to 150Ω 150Ω“、则最好如此。  你 认为这是可能的吗?  

    现在、我们 正在寻找 合适的 VSADJ — 增大以改善 VL、并将 TX_TERM_CTR 设置为“I2C 到 150Ω、然后修改 75Ω 的摆幅以通过测试、您会看到任何问题吗?

    TX_TERM_CTR = NC

    TX_TERM_CTR = 150Ω 至 300Ω

    TX_TERM_CTR = 75Ω 至 150Ω

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    您好、

     对于小于 1.65Gbps 的数据速率、应使用 TX_TERM_CTR = NC;对于 1.65Gbps <=数据速率< 3.4Gbps 的数据速率、应使用 150-300 Ω;对于 3.4Gbps <=数据速率、应使用 75-150 Ω。 对于 4K@30Hz 、应使用 150-300 Ω 终端。 当我查看 3G 眼图时、我可以看到信号衰减、因为眼图显示的斜坡时间非常慢。 如果在输出端使用 ESD 二极管保护、能否检查其线路电容? 如果可能、您可以将 ESD 替换为较低的线路电容、这有助于提高斜升速率并使眼图通过。

    对于 VSADJ 和 I2C 模式、调整电阻将为您提供默认的 VSWING。 除此之外、您可以写入寄存器 0x0C 以进一步增加或减少 VSWING。

    谢谢

    David

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    你(们)好  

    感谢您的推荐。 我们会试一下。

    Re ESD、我们使用的是 ESD8004、附上了数据表供您参考、其电容约为 0.3pF、您认为它过高了吗?

    e2e.ti.com/.../ESD8004.PDF

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    您好、

    对于 0.3pF 的 ESD 二极管线路电容、它应该足以支持 3Gbps 数据速率。 分享布局的机会吗?

    谢谢

    David

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    您好 David:

    我可以通过直接消息发送给您、请接受我的朋友的请求。

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    您好、

    我已接受您的申请、您可以通过 E2E 私信向我发送原理图和布局信息。

    谢谢

    David