[参考译文] SN65LVDS822：IBIS 模型中的内部终端电阻 (SN65LVDS822)

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Other Parts Discussed in Thread: SN65LVDS822, SN65DSI83

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1637215/sn65lvds822-internal-termination-resistance-in-the-ibis-model-sn65lvds822

器件型号： SN65LVDS822
Thread 中讨论的其他器件： SN65DSI83

我知道 SN65LVDS822 为 LVDS 接收器引脚（例如 A0P、A0N）提供内部差分端接电阻、指定为最小 80 欧姆、最大 132 欧姆（典型值是 100 欧姆？）。在该 IC 的 IBIS 模型 (SLLM227.IBS) 中、对于上述引脚（模型：RCV）、IBIS 模型中是否包含内部差分端接电阻？或者、在执行 SI（信号完整性）分析时、是否需要自行对内部端接进行建模（例如，通过添加 100 欧姆差分端接电阻器）？

3 个月前

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2887470 points

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器件型号： SN65DSI83

我知道在 SN65DSI83 上、用于 MIPI-DSI 通信的接收器引脚（例如 H3、J3）提供内部 100 Ω 差分端接电阻。在此 IC 的 IBIS 模型 (SN65DSI83.IBS) 中、对于这些引脚（模型：中的 LVDS）、是否考虑了内部 100 Ω 差分端接电阻？

0 admin 3 个月前

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尊敬的 Ryoya：

请给我 1-2 天的时间来检查这些模型并返回给您。

此致、
Ikram

0 admin 3 个月前

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尊敬的 Ikram：

您能否提供调查当前状态的最新信息？
如果您需要我这边的任何东西、请告诉我。

谢谢、
Ryoya

0 admin 3 个月前

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Ryoya、很抱歉耽误您的时间。我明天将更新您。

0 admin 3 个月前

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尊敬的 Ryoya：

对于该 IBIS 模型、需要将终端放置在外部以运行仿真。 DSI83 IBIS 模型的文件夹中有一个文件、其中说明了如何为 LVDS 驱动器和接收器放置该模型。

e2e.ti.com/.../LVDS_5F00_Driver_5F00_Receiver_5F00_sim.pdf

此致、
Ikram

0 admin 3 个月前

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尊敬的 Ikram：

感谢您的答复。

SN65LVDS822 的 IBIS 模型不包括内部终端、因此对于仿真、您需要在拓扑中包含外部终端电阻器。

同样、DS183 IBIS 模型也需要添加外部电阻器。

我的上述理解是否正确？

此致、
Ryoya

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2887470 points

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尊敬的 Ryoya：

是、DSI83 IBIS 模型需要外部端接、带有 IBIS 模型文件夹的 pdf 文档针对仿真设置提到了这一点。

LVDS_LVDS_LVDSDriver_Receiver_sim.pdf
[/报价]
此致、
Ikram

0 admin 3 个月前

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尊敬的 Ikram：

感谢您发送编修。

为了便于您进行说明、我知道 DS183 IBIS 模型 (SN65DSI83.ibs) 需要外部终端、带有 IBIS 模型文件夹的 pdf 文档针对仿真设置提到了这一点。

我的理解是否正确、即 SN65LVDS822(SLLM227.IBS) 的 IBIS 模型也不包括内部终端？

此致、
Ryoya

0 admin 3 个月前

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尊敬的 Ryoya：

我最初以为你只是问关于 DSI83。

是的、SN65LVDS822 也需要外部终端。

此致、
Ikram

0 admin 3 个月前

TI__Guru**** 2887470 points

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尊敬的 Ikram：

对此造成的任何混淆、我深表歉意。
感谢您的帮助。

此致、
Ryoya

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[参考译文] SN65LVDS822：IBIS 模型中的内部终端电阻 (SN65LVDS822)