[参考译文] DP83826I：晶体驱动电平

尊敬的 NIR：

该晶体的规格适用于 DP83826。

就驱动电平而言、您是否能够在电路板上安装一个 0 欧姆电阻器、然后 在设计可供测试时根据需要进行调优？ 我不知道对 DP83826 的振荡器振幅进行了任何表征、因此、最好进行测试和测量。

如果您希望在设计电路板之前大致了解 PHY 性能、请考虑将 DP83826EVM 用作测试平台。 该电路板配有晶体、用于安装默认为 0 欧姆的限流电阻器。

此致、

Shane

嗨、Shane  

感谢您的答复、
我目前正在使用现有电路板、但晶体电路中没有电阻器选项、因此我有几个问题：
如果我提供的晶体适用于 DP83826、为什么需要添加电阻器？
是否必须添加电阻器？
我想避免添加电阻器... 我是否遗漏了一些基本信息？
如果我放置一个最大功率为 500uW 的振荡器、就会不需要电阻器？
此外、如果我像您提到的那样执行测量、那么 PHY 组件之间是否没有容差？

请提供建议

此致

NIR

尊敬的 NIR：

如果我包含的晶体适用于 DP83826、那么为什么需要添加电阻器？

晶体具有正确的 ppm、频率和负载电容规格、因此它适合我们的数据表中的该表：

因此 PHY 可与此晶体配套使用。 该电阻器更能确保晶体的长期可靠性、而不是 PHY 所需的规格。  

是否必须添加电阻器？

否、这不是强制性的。 您将注意到、在 EVM 上、串联电阻器保持为 0 Ω、电路板仍然工作。

我想避免添加电阻器... 我是否缺少一些基本信息？

该电阻器不是必需的、但它有助于防止晶体超过其最大驱动电平。 超过驱动电平可能会随着时间的推移导致晶体性能下降、但您可能需要询问晶体制造商、这会产生什么影响。

如果我放置一个最大电流为 500uW 的振荡器、就会消除对电阻器的需求吗？

振荡器不需要串联电阻器、因为从 PHY 到振荡器没有反馈路径

此外、如果我执行您提到的测量、PHY 组件之间是否没有容差？

鉴于这并不是表征规格、很难判断 PHY 具有多大的容差。 如果考虑到容差、最好测量 PHY 样本大小或将晶体驱动电平的裕度增加到电阻值中。 对于测量程序本身、我建议与晶体制造商讨论、因为他们可能对这种测量有更多的经验。

此致、

Shane

谢谢 Shane、  

我在我的设计上测量了 KEYSIGHT N2795A 有源探头 1.0pF 在 50Ω 上使用示波器通道时 CL1 上的 Vpp 及其 1.73Vpp — 是否为正常值？  

我 还根据测得的 Vpp I 和以下公式计算驱动电平：  

Iqrms =(2*3.141592*F)*Cto*(Vpp /(2*SQRT (2)))

 DL =Iqrms ^2*ESR

 Ctot = CL1 + Cs + Cprobe = 33pF + 3pF +1pF = 37pF

*CL1 = 33pF、因为 ppm 校准

DL 计算结果：512.2uW

DL 非常高！  

计算是否正确？ 您有什么建议？  请提供建议  

此致  

NIR   

嗨、Shane、  

关于 EVM、您能否分享 EVM 晶体元件和参数？ EVM 原理图表中未提供信息。

谢谢  

NIR  

尊敬的 NIR：

EVM 晶体为 ECS-250-12-33Q-JES-TR

该 峰值电压将处于 XI 输入的规格范围内、因此这可以：

计算驱动水平是一个过程、我强烈建议联系晶体制造商以获取有关的信息。 虽然我们 对如何限制过驱晶体有一个一般性建议、但执行测量/计算并不是我们团队拥有的经验、因为这更像是一个晶体问题、而不是 PHY 问题。

此致、

Shane