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https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/618796/iso5451-q1-driving-mosfet
您好，
在绘制示意图之前，我正在查看ISO5451-Q1的数据表，但我无法确切了解驱动MOSFET需要注意什么，因为数据表侧重于驱动IGBT。
您能否就设计人员在驱动数据表中遗漏的MOSFET时应注意的事项给我建议？ 一个示例是如何处理Desat引脚。 我猜MOSFET不需要去饱和功能。 还有事吗？
此致， 横田真一
您好，横田山，
对于MOSFET和IGBT应用，VCC2和VEE2的电源电压不同。 更具体地说，SI MOSFET的电源电压通常为+12V/0V，SIC MOSFET为+20V/-5V，IGBT为+15V和-8V。 ISO5451-Q1具有VCC2的电压监控功能，阈值电压为12.6V (典型值)。 在电源电压不足的情况下，驱动器输出将被禁用。 也就是说，ISO5451适用于驱动SIC MOSFET。
关于去饱和保护，客户可以使用齐纳二极管和电阻器调整保护阈值，以适合MOSFET。
如有任何其他问题，请告诉我。
谨致问候，
熊
熊山
如果未使用设备的去饱和功能，应如何在原理图和PCB上处理去饱和引脚，以使设备正常工作？
横田山
很抱歉回复太晚。 我没有收到关于此主题的任何电子邮件提醒。
Desat引脚需要短接到GND2才能绕过该功能。
