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部件号：SN65MLVD204B
尊敬的技术支持团队：
您是否可以为SN65MLVD204B提供IBIS-AMS？
目前，我使用的是普通的IBIS。
我猜IBIS-AMS可以评估偏斜和模拟存根，以进行高速仿真。
●M-LVDS IBIS模拟的拓扑
(1)终止 ：100Ω
(2)阻抗：100Ω Ω(所有线路长度420 mm)
(3)节点数 ：19个节点
(4)背板和I/O板之间的模拟短管
●模拟结果
①topology以上
→(4)模拟末节是否可用，M-LVDS类型2 (50mV～150mV)阈值的反射影响
②topology以上有卸载阻抗(50Ω)
→(4)模拟存根不可用，并且将系列寄存器添加到M-LVDS驱动器的／B。
此拓扑可改善反射，但其波形会在阈值周围发生失真。
很难评估歪斜。
此致，
TTD
