它可能关注的人,
ISO5852S IC用于在我们目前正在进行的项目中驱动SiC MOSFET (1200V/523A)。 我们还在使用上述IC的去饱和检测选项,不幸的是软关闭功能似乎不起作用。 在随附的.pdf文件中,我将提供栅极驱动器电路的示意图以及在故障条件下获得的测量值。
系统中的额定直流电压为800V。 但是,正如您在波形上看到的那样,由于不存在软关闭,漏极至源电压会在输入处产生高达750V的电压,约400V。
您能否评论软关闭功能为何不起作用? 我们不在栅极驱动器的输出上使用反相BJT对,因为设备的数据表中已声明它与去饱和逻辑不兼容。
此致,
Milos Stojadinovic
e2e.ti.com/.../8182.desat_5F00_detection_5F00_attachment.pdf