This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] ISO5852S:去饱和软关闭问题

Guru**** 2481985 points
Other Parts Discussed in Thread: ISO5852S

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/666650/iso5852s-desat-soft-turn-off-problem

部件号:ISO5852S

它可能关注的人,

ISO5852S IC用于在我们目前正在进行的项目中驱动SiC MOSFET (1200V/523A)。 我们还在使用上述IC的去饱和检测选项,不幸的是软关闭功能似乎不起作用。 在随附的.pdf文件中,我将提供栅极驱动器电路的示意图以及在故障条件下获得的测量值。

系统中的额定直流电压为800V。 但是,正如您在波形上看到的那样,由于不存在软关闭,漏极至源电压会在输入处产生高达750V的电压,约400V。

您能否评论软关闭功能为何不起作用? 我们不在栅极驱动器的输出上使用反相BJT对,因为设备的数据表中已声明它与去饱和逻辑不兼容。

此致,

Milos Stojadinovic

e2e.ti.com/.../8182.desat_5F00_detection_5F00_attachment.pdf

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好,Milos,

    感谢您与我们联系。 需要将RC电路添加到BJT电路的底部,以便使用外部BJT缓冲器进行适当的软关闭。  

    在ISO5852S中,在进行去饱和检测时,弱电流源为130mA打开。 130mA电流将是BJT缓冲器的基本电流。 电流放大时,收集器电流会非常大,从而驱动BJT在饱和区域中工作。 通过在BJT缓冲器基座上添加电容器,PNP晶体管将像发射极随动件一样工作。 基座上的电容器电压将随着130mA电流源缓慢降低。 您可以根据所需的软关闭时间来调整电容大小。  

    希望这能澄清您的疑虑。 如 有任何其他问题,请告知我们。  

    谨致问候,

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    熊先生,您好!

    感谢您的快速回复。 我将尝试您建议的内容,并让您了解其进展情况。

    最佳,
    米洛斯