尊敬的Luis Omar Moran：

感谢您的评论。

几个问题/观察：-

1.在VDD5上，检查列表中显示建议同时使用1uF和47uF，但我在数据表中没有找到47uF？

2.在VCC33上，我没有找到任何关于"100nF和1uF电容器阵列，位于引脚8 (VCC33)至GND "的要求

3.我们正在实施UFP，据我所知，以下引脚(开路集电极)可以在不上拉的情况下保持浮动：ID，VCONN_FAULT_N，CURRENT_MODE和INT_N/OUT3 (不需要音频附件连接检测)?

此致

Shmuel

0 admin 7 年多前

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Shmuel，您好！

1.建议TI使用这些封盖，即使在HD3SS3220的EVM中也应使用47uF封盖，因为VCONN需要使用此封盖(10uF和220uF之间的散装封盖)。
2.在VCC33中，建议均匀地放置1uF和100nF的盖子。我们可以共享EVM的原理图以提供指导。
3.对于UFP应用程序，您可以让它们保持浮动状态。
此致，
路易斯

0 admin 7 年多前

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尊敬的Luis：

再次感谢您的回复和帮助。

1.既然我正在实施UFP，那么VCONN功能是否不相关？这就是为什么我让引脚24保持未连接的原因？如果是，附加的47uF是否仍然有效？如果是-需要什么？
2.你给我发了3220UFP-DGLEVM INT027：TUSB3220原理图，我用它来帮助我进行设计。从原理图中可以看出，在VCC33 (引脚8)上仅实现了0.1uF，但找不到1uF。事实上，在3P3V和3P3VCC_VCC之间有一个“FB1220@100MHz”，我没有实施它-我应该放置它吗(我猜它是某种铁氧体磁珠吗？)。 VCC33是如此敏感，还是为EVM设计隔离了这种敏感？如果是，您是否有部件号？我看到在3P3V电源上，TPS6.2082万DSGT的输出上有一个10uF，但我的调节器(+5V至+3.3V)的实现上也有这个，我没有向您发送！我假设1uF与此10uF无关？

祝好

Shmuel

0 admin 7 年多前

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Shmuel，您好！

1.对于UFP申请不相关。因此，可以省略VDD5中47uF的大容量上限。
2.对于VCC33，建议放置1uF和100nF盖，以避免将噪音输入器件，此评估由设计人员进行。在EVM中放置了铁氧体磁珠和100nF，以保护器件，因为此功率信号是敏感的。因此，对于大多数应用，我们建议使用Place 1uF和100nF。即使是，如果您的设计具有低噪声耦合，则只有100nF才是"必需的"。

谢谢！
Luis Omar Moran
高速接口
SWAT团队

0 admin 7 年多前

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尊敬的Luis：

因此我将从VDD5中移除47uF，并在VCC33上保留0.1uF和1uf。

由于我们的+3.3V电压相当稳定(我们使用的是由VBUS供电的EP53F8QI)，因此可以安全地假定我不需要EVM上的铁氧体磁珠吗？

谢谢

Shmuel

0 admin 7 年多前

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Shmuel，您好！

您的方案是可行的，因此请保留上面提到的配置。

此致，
路易斯

接口（参考译文帖）

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[参考译文] HD3SS3220：原理图回顾