尊敬的TI成员:
我有一些问题需要您的支持,谢谢!
1. UCC2.152万峰值电流规格如下:
那么,我能说峰值电流可以持续1毫秒吗? (1/1KHz)
如果不是, IC可以支持多长时间的峰值电流?
2.我研究数据表P.34,它使用齐纳生成负偏倚。
能否向我们分享Figure 41测试功能?
如果我们要使用 齐纳生成-5V电压,是否有需要 关注的副作用?
关于Cboot,在这种设计中哪种盖子更好? (e-cap,os-con或MLCC?)
非常感谢!
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尊敬的TI成员:
我有一些问题需要您的支持,谢谢!
1. UCC2.152万峰值电流规格如下:
那么,我能说峰值电流可以持续1毫秒吗? (1/1KHz)
如果不是, IC可以支持多长时间的峰值电流?
2.我研究数据表P.34,它使用齐纳生成负偏倚。
能否向我们分享Figure 41测试功能?
如果我们要使用 齐纳生成-5V电压,是否有需要 关注的副作用?
关于Cboot,在这种设计中哪种盖子更好? (e-cap,os-con或MLCC?)
非常感谢!
您好Julian:
我是高功率驱动器组的应用工程师,我可以帮助回答您的问题。
1.这不是TI列出的规范。 峰值电流是一个瞬时值。 对于大多数离散IGBT和FET顺序上的电容负载脉冲,这不是问题,因为峰值电流值仅在短时间内实现,因此在此期间结温不会增加太多。 对于超过正常值的高电流持续时间,即使平均功率低于器件的额定功率,输出结构处的结温升也可能超过绝对最大额定值。 设备的散热模型是针对平均功耗指定的。 长时间驱动峰值输出电流代表平均功率不代表设备行为的情况。 这种情况下的热阻应显著降低。
2.正确使用此电路有一些注意事项。 请参阅以下链接的E2E帖子: http://e2e.ti.com/support/power_management/isolated_controllers/f/188/p/65.8921万/2423689#2423689</s>242.3689万 242.3689万
3. Cboot最好使用低阻抗MLCC电容器。 此电容器必须为短脉冲提供大峰值电流,因此,由于电容器引线或结构而产生的任何电阻或电感都将减慢电流脉冲,并在输出转换期间增加电压降。
此致,