我在设计中使用ONET1151L。 在数据表中，调制输出通过一些铁氧体磁珠连接到激光，但没有详细说明如何指定它们。 我想知道是否有一个使用ONET1151L和ONET1151P的评估板的原理图，它可以提供一些关于如何定义这些组件的见解。 如果存在处理此问题的技术文档，那么这也将非常好。 请告诉我是否存在上述任何一种情况。
谢谢！
Michael Nycz
您好，Michael：
感谢您对我们Onet产品的关注。 是的，我们确实有建议在ONET1151L和ONET1151P组件中设计的带有详细部件号的示意图。 请参阅随附的两个设备示意图的屏幕截图(在同一图中)。
我还附上了一份用户指南文档，用于参考设计此原理图的10G SFP+模块。 参考设计，也称为Onet-10G-EVM (http://www.ti.com/tool/onet-10g-evm) ，是使用TI 10Gbps光学器件ONET1151L，ONET1151P和ONET8551T的10G SFP+ LR模块的模型设计。
请浏览设计，如果您有任何其他问题，请告知我们。
谢谢你。
此致，
SRI
e2e.ti.com/.../6886.10G-SFP_2B00_-LR-Reference-Design-_2D00_-TIDU180.pdf
您好，Michael：
请在下面找到我的回答：
1)要在闭环(APC回路)中操作ONET1151L，您不必设置光电二极管电流(IPD)值。 您只需为其选择范围，以便激光偏置控制DAC，BIASC[0...9]保持在靠近中心的位置。 PD范围可以使用寄存器0中的PDRNG[0..1]进行设置。 此PD范围将控制偏置设置的分辨率。 例如，当针对极高的偏置电流值时，PD范围应设置为最高。 一旦设置了该值，Ibias将通过设置BIAS寄存器来控制。 根据所选的PDRNG和BIAS，使用下面给出的公式之一来计算准确的偏倚：
2) CR不能以数字方式更改。 请对所有计算使用CR=40。
3)没有单独的应用说明来描述这一点。 我们已在数据表本身中包括APC回路设置和功能的说明。 我希望以上解释能帮助您澄清。
如有任何问题，请告诉我。
谢谢！
SRI
