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https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1135221/ds16f95qml-sp-displacement-damage-data
您好！
您是否碰巧在该器件上提供了位移损伤数据、或者是否可以获得这些数据？
谢谢！
您好、Henry、
我不知道对该产品或使用相同工艺的任何产品进行任何中子测试。
这是一种高速浅结双极工艺。 我希望它能够承受比经典双极器件更高的通量、但我无法对其进行定量。
好的、感谢您的快速回答！
这是 TI 可以以任何方式支持的吗？ 无论是 收集与您对其他器件类似的 DD 数据、还是协助客户进行测试之前和测试后发现的由客户付费的器件？
亨利
我们不太可能支持此器件的这种测试、尤其是因为它的历史已久、而且不再进行开发。
此致、
Eric Hackett
