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器件型号：TPS65987D 主题中讨论的其他部件：TPS55288、 TPS65987EVM、 TPS65988
尊敬的先生：
我遇到了 TPS65987D 内部功率 MOSFET 在负载约为4.8A、20V 时损坏的问题。 我的设计主要以 TPS65987EVM 为基准、而 TPS55288用作降压/升压转换器、通过 I2C 连接到 TPS65987D。 此外、仅为 DFP 配置启用 PP_HV2电源路径。 请参阅以下原理图。 USB 负载插入后、会广播5V、9V、15V 和20V PDO。 TPS55288的输入电压为25.2V。
在调试过程中、使用了 E-mark 电缆并选择了 PDO 20V 5A。 开始时、USB 负载开始首先加载3A、负载电流缓慢增加。 直到达到4.8A、输出电压下降、负载电流变为零。
我发现 TPS65987D 的内部 MOSFET 已经损坏。 此外，CC1和 CC2再也无法与负载通信。 但是、它与 TPS55288的 I2C 通信仍然可以使用。 TPS65987D 的 LDO_3V3、LDO_1V8同样有效。
为什么内部 MOSFET 在4.8A 电流下烧毁？ 硬件设计是否需要更改为5A 的双电源模式配置？ 出现此问题后、TPS55288器件似乎工作正常。
为什么之后 CC1和 CC2无法通信？ 实际上、除了通信之外、在这个问题之后、当 CC 引脚连接到 USB 负载时、它仍然可以下拉至1.6V。
问题是否与电子标记电缆有关？ 但是、在我的设计中、已经为 VCONN 的 pp_CABLE 引脚提供了5V 电源。 还是布局问题？
请帮我提供一些提示。
谢谢！
此致！
Alan
