[参考译文] SN65LVDT34：确认

尊敬的 Maynard：

它来自 差分输入电流规格。 摆幅为200mV 时的最大电流为2.22mA、这意味着电阻器的额定功率至少为444mW。

此致、

I.K.  

我缺少一些东西。 P=IV；2.22mA * 200mV =444uW

啊、很抱歉、它把那里的设备弄乱了。 正确、它是444uW、使用数据表中的信息。

此致、

I.K.  

谢谢、现在看一下数据表中提供的功率耗散。

 SN65LVDT34D 的封装似乎只采用8引脚 SOIC 封装、 并且每个封装具有2个接收器(无使能功能内部端接封装)。  功耗额定值表显示在25°C 时为725mW。  集成电阻器中耗散的功率与表中列出的功率之间有何差异？ 如果集成电阻器的额定功率为 uW、则表明效率很低。

不确定最后一个信息请求是否已完成、因此我将重复此操作。

1) 1)如果 LVDT 的差分输入电压的建议幅度为0.8V、且绝对最大差分电压为1V、为什么使用200mV 来确定集成电阻器的最大额定功率？

2) 2)如何根据集成电阻器的绝对最大额定功率确定裕度？ 例如、TI 是否使用降额因子、使最大额定功率为2x 至10x >最大额定功率。

3)对于没有集成电阻器的接收器(SN65LVDS34)、幅值差分电压输入最大为3V (而对于具有集成电阻器的器件、幅值差分电压输入最大为1V)。 什么因素决定了最大差分电压摆幅为3V？

谢谢