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https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1159969/esd122-esd122-being-exposed-to-x-ray-issue
尊敬的 TI：
ESD11DMXR 器件在相对较长的时间内暴露于 X 射线后会发生什么情况？ 特性是否有任何损坏或变化？
您好！
这可能取决于器件暴露的时间。 X 射线通常用于检查器件内部结构、但延长时间并不常见。
我不是这个主题的专家、但是 X 射线是一种电离辐射形式、因此可能会有辐射引起的影响。 我不确定器件损坏需要多长时间、但如果您将其置于 X 射线下的时间异常、则可能会造成损坏。
我是否可以询问这里是什么应用？
此致、
Sebastian
您好，
就设计理论而言、此芯片是否可能在 X 射线辐照？下受损
器件是否在发生故障后短路或开路？
在一段较长的时间内、理论上芯片有可能被 X 射线辐照损坏。 时间量将取决于 X 射线束输出的 rad/s 数量。 当内部 MOSFET 暴露于电离辐射中时、氧化层中会产生电子孔对。 氧化层中生成的电子空穴对几乎会导致所有总剂量效应。 产生的载流子会引起电荷累积、从而导致器件退化。
要详细了解这一点、请参阅外部资源： MOS 氧化物中的辐射效应。
如果您使用 X 射线检查设备、则此处不应存在任何问题。 X 射线不会快速发射极高的辐射水平、通常不需要超过30分钟即可获得图像。
