[参考译文] SN65HVD75：原理图审阅

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Other Parts Discussed in Thread: SN65HVD75, THVD1410, SN65HVD72

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https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/914923/sn65hvd75-schematic-review

器件型号：SN65HVD75
主题中讨论的其他器件： THVD1410、 SN65HVD72

尊敬的 TI 团队：

在一个项目中、我们希望将两个 SN65HVD75用于一个 RS485主设备和一个 RS485从设备(半双工)。您能否回顾一下该电路的实施情况？基本上、电路是在靠近数据表的位置实现的。

在进一步的研究中、我注意到还实施了设计、其中更改了串联电阻和端接的顺序。 SN65HVD75前面的是端接电阻器、然后是串联电阻器。下面是我的问题、哪种解决方案是设计的更好方法？

另一个问题是 RS485主设计的偏置。 A 和 B 线路通常使用上拉和下拉电阻器。使用 SN65HVD75时是否需要这些器件？这里的问题是、偏置电阻器是放置在串联电阻器之前还是之后？

4 年多前

0 admin 4 年多前

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您好、Tony、

我们正在对此进行审查、并将在明天再次与您会面。

最大

0 admin 4 年多前

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Tony、

从信号完整性的角度来看、第二个原理图可能比第一个更好。

SN65HVD75的应用无需上拉/下拉、因为失效防护功能已集成在器件中(VIT<0V)。您可以在此应用手册中找到有关失效防护设置的更多详细信息。

https://www.ti.com/lit/an/slyt324/slyt324.pdf

然而、SN65HVD75与上拉/下拉配合使用、其首选位置显示在第三个原理图中。

此致、

Hao

0 admin 4 年多前

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您好、Hao、感谢您的回复！

我还认为、第二个原理图是更好的选择。在 TI 的应用报告中、我还找到了收发器设计的比较。在本文档中、顺序为：收发器、偏置、串联电阻和端接。借助 SN65HVD75的失效防护特性、总线是否也能在总线上无任何偏置的情况下工作？失效防护功能是否会使整个总线上的偏置变得不必要？例如、当其他从器件没有失效防护功能时、SN65HVD75的失效防护功能是否会取代偏置？

0 admin 4 年多前

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Tony、

上拉/下拉用于在总线上产生偏置。在这种情况下、失效防护和非失效防护器件都将在故障条件下输出 H。

如果没有上拉/下拉电阻、失效防护器件仍可生成 H、而非失效防护器件无法(未定)。

但是、故障安全器件不会在总线上产生偏置。如果同一总线上还有其他非失效防护器件、则它们的输出在故障条件下仍不确定。

此致、

Hao

0 admin 4 年多前

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您好 Hao、

感谢您的回复。对于具有偏置和终端的 RS485主接口、我现在设计了以下原理图。在我看来、10欧姆串联电阻器应该保护和限制收发器免受更高电流(瞬态)的影响。因此、我将串联电阻放在靠近总线的收发器前面、以保护 LC 滤波器和收发器。在串联电阻器外倾 LC 滤波器之后、再外倾终端和偏置。您对此原理图有何看法？ LC 滤波器的尺寸是否有用？用厘米扼流圈替代铁氧体珍珠是否更好？

另一个改进是在铁氧体磁珠和串联电阻之间再放置三个电容器、以便设计在铁氧体珍珠后面有 C29/30/31、在铁氧体珍珠之前也是如此。在这种情况下、使用10欧姆电阻器在 RC 滤波器上对信号进行滤波、然后使用 LC 滤波器。您对此有何看法？

非常感谢您的帮助！

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 1183750 points

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Tony、

我认为在电感器后面放置10欧姆电阻器更为常见。如前所述、电阻器会限制高瞬态电流、这可能是保护 IC 的最后一个阶段。电感器的模型是什么？我不确定电流会造成多大的损坏。 BTW、LC 滤波器的用途是什么？ 10nF 看起来有点高速到高速通信(我假设您的应用中的数据速率至少为10Mbps、因为您选择的是 SN65HVD75)。另一个问题是有关电缆类型和通信距离的问题。如果端接需要匹配120欧姆电缆阻抗、请注意、上拉/下拉电阻器的等效电阻不再为120欧姆。

此致、

Hao

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 1183750 points

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您好 Hao、

LC 滤波器设置中的电感器(铁氧体磁珠)用于滤除高频噪声和非常快的瞬态、这些瞬态对于 TVS 来说太快。 TVS 应限制 ESD 瞬变的高能量。对于铁氧体磁珠、我还没有搜索特定的模型、但我想到的是最大的铁氧体磁珠电流规格为2安培(连续)。

将10欧姆电阻器放置在总线侧铁氧体磁珠前面的想法通常是限制整个线路和滤波器进入收发器的瞬态电流。如您所说、将串联电阻器放置在铁氧体磁珠后面、然后放置在铁氧体和电容器之间、或者放置在 LC 滤波器和端接之间？

在此应用中、我们使用9600波特。因此、10nF 可能是可以的、最好使用1nF 或一些 pF 在其他应用中实现更快的通信。

此致、

Tony

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 1183750 points

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Tony、

感谢您提供的信息。说实话、在这种情况下、通过查看原理图很难评估系统性能。我认为您需要运行一些实验、以了解哪种方法最有效。此外、设计选择取决于您希望保护的 ESD 事件类型。我注意到的一点是、在一些快速瞬态事件期间、串行总线电感器的行为比电阻器的行为更难预测。只要10欧姆位于铁氧体磁珠后面、我就不会看到这两种放置方式之间有太大差异。

如果数据速率为9600波特、您可能需要考虑 SN65HVD72而不是 SN65HVD75。我们建议根据传输速度选择适当的上升/下降时间。如果您有兴趣、新发布的 THVD1410可在具有更好 ESD 保护的类似数据速率下工作。

此致、

Hao

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