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https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/945647/onet1141l-onet1141l-sparameter-model
我下载了 S 参数文件并使用查看器查看了这些文件。 观看者抱怨"无源性"故障。 这是预期的吗？
在我看来、对于 EQ 关闭的情况、端口1 -端口2的损耗对于频率低于10GHz 的情况大约为-45dB。 这是预期的吗？ 这些模型代表什么？
www.ti.com/.../sllm178
谢谢。
您好！
如果器件具有增益、同时 ADS 期望器件为无源器件(无增益)、则可能会发生无源故障。 建议禁用 ADS 上的无源设置。
请禁用 ADS 上的无源性、这应该会导致错误的-45dB 损耗。
此致、Nasser
您好、Nasser、
您是否有用于 ONET1141L 输出级(OUT+和 OUT-)的 SPICE 模型？
尊敬的 D.C：
我已检查、但很遗憾、这不可用。 如果有用、我们已经完成了光学眼图评估、我们可以向您提供此报告。 如果您想查看此报告、请联系您当地的 TI 办事处并要求他们与我联系。
感谢您的更新。 我尝试使用 ADS 中的 S 参数文件、但我无法放心地识别输入端口和输出端口。 我很可能错过了有关这方面的一些文档。
1.您能帮我确定哪个端口用于哪个引脚吗？
2.您是否有使用此 S 参数模型的示例仿真文件？
我检查了这个 s 参数模型、请注意下面的一些注释。
1)。 端口顺序为1-3和2-4。 但是、存在高直流增益(~40dB)。 我认为这是由于限流放大器造成的。 输入级。 总之、最大 EQ 增益约为6dB。 通常、在直流条件下、增益为0dB。 我认为、由于这种高直流增益、这种 s 参数模型会混乱。 现在、在较新的器件上、我们提供了 IBIS-AMI 模型来解决此问题、但在开始使用 IBIS-AMI 模型之前、该器件是通过开发的。
2)。 未提供示例仿真模型。 此外、请注意上面的#1评论。
