[参考译文] SN65LVCP114：建议使用高速 IO 交流耦合电容器

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：SN65LVCP114

尊敬的 TI：

在 SN65LVCP114 EVM 中、从0.1uF 0201电容器中用于 RX/TX 中的交流耦合。

问题1：对于 RX/TX 中的交流耦合电容器封装、是否有任何建议？例如、可以使用0.1uF 0402电容器吗？

问题2：是否有任何交流耦合电容器侧的建议？(它应该更靠近接收侧或发送侧？)

谢谢。

0 admin 5 年多前

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尊敬的 Roya：

1)。 0.1uF O402外形尺寸电容器很好。通常情况下、最好使焊盘尺寸尽可能与布线宽度相同。这样、阻抗不匹配就更少了。此外、我们通常在交流耦合电容下使用 void (无接地或 VCC)。这将减少寄生、从而减小由于此寄生而导致的阻抗压降。

2)。 PCIe 等某些规范要求 TX 侧具有交流耦合电容器。建议将交流耦合电容放置在 TX 引脚和连接器之间(距离器件引脚大于1英寸)。由于阻抗不匹配、这将消耗 TX 引脚反射能量。

此致、Nasser

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