主题中讨论的其他器件: AM5728、
您好!
我们正在开发基于 AM5728的间隔控制单元、因此我们必须使用 DP83640 IEEE 1588 PTP 以太网 PHY 收发器。
我们必须在主从模式(采用光学/RJ45模式)下配置 DP83640。现在、我们参考 从以下链接 https://www.ti.com/tool/DP83640T-EVK 获取的 DP83640T-EVK 设计文件来设计原理图
此处、我们将附上 DP83640主从模式的原理图。
请帮助查看原理图
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您好!
我们正在开发基于 AM5728的间隔控制单元、因此我们必须使用 DP83640 IEEE 1588 PTP 以太网 PHY 收发器。
我们必须在主从模式(采用光学/RJ45模式)下配置 DP83640。现在、我们参考 从以下链接 https://www.ti.com/tool/DP83640T-EVK 获取的 DP83640T-EVK 设计文件来设计原理图
此处、我们将附上 DP83640主从模式的原理图。
请帮助查看原理图
您好、Manju、
请在下面查找我的反馈:
- AVDD3V3去耦电容不遵循(10、100nF)||(1、10uF)的建议
- VDDIO 去耦电容不遵循(10、100nF)||(1、10uF)的建议
-请确保晶体具有推荐的 ESR
-原理图表示打算对两个 PHY 使用 RMII 模式、但对于 RMII 模式、PU RX_DV (39)没有显示搭接电阻器、请确保两个 PHY 的(39)上都包含 PU 电阻器
- 1MEG || 4700pF 建议用于将数字接地与 MDI 连接器接地隔离、例如(接地->(1Mohm || 4700pF)-> GND)
-已使用 SFP、没有关于如何正确配置此功能的数据表建议-请验证
此致、
Gerome
您好、Gerome、
感谢您的支持。
我已根据您的建议修改了原理图。 下面显示了更新后的原理图部分、并附加了修改后的原理图
- AVDD3V3去耦电容不遵循(10、100nF)||(1、10uF)的建议
- VDDIO 去耦电容不遵循(10、100nF)||(1、10uF)的建议
-原理图表示打算对两个 PHY 使用 RMII 模式、但对于 RMII 模式、PU RX_DV (39)没有显示搭接电阻器、请确保两个 PHY 的(39)上都包含 PU 电阻器
- 1MEG || 4700pF 建议用于将数字接地与 MDI 连接器接地隔离、例如(接地->(1Mohm || 4700pF)-> GND)
您好、Gerome、
感谢您的支持。 我已根据您的建议修改了原理图。 我要在这里附上修改后的原理图。