您好、先生:
我在 PCIe 应用的设计中使用了线性中继器。
据我所知、触发 PWDN 可能会复位 RXDET、如规范所述
断电模式、输入为高阻态、输出驱动器 被禁用、
µs 在保持高电平5 μ s 时复位 Rx 检测状态机。
我的问题是、清零/置位寄存器0x01 (PWDN)也可以复位 RXDET、在哪里与引脚控制模式一样?
Tks、
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您好、先生:
我在 PCIe 应用的设计中使用了线性中继器。
据我所知、触发 PWDN 可能会复位 RXDET、如规范所述
断电模式、输入为高阻态、输出驱动器 被禁用、
µs 在保持高电平5 μ s 时复位 Rx 检测状态机。
我的问题是、清零/置位寄存器0x01 (PWDN)也可以复位 RXDET、在哪里与引脚控制模式一样?
Tks、
THI 最大值、
整个器件终端可通过寄存器0x02[7:6]进行控制
寄存器写入的序列、用于同时为所有8个通道复位 rxdet 状态机。
0x02 = 80'h
0x02 = C0’h
0x02 = 80'h
0x02 = 00'h
这将为所有八个通道重新启用 rxdet 状态机。
要控制少于8个通道的端接、需要在寄存器0x08中覆盖 RXDET 引脚。
写入0x08 = 08'h
然后、每个要控制的通道中的 RXDET 位需要按以下顺序进行编程。
CH0的示例
写入0x0E = 00'h (输入 hi-z、因此终止被关闭)
写入0x0E = 0C'h (启用自动 rxdet、输入为高阻态、直到检测到输出端接)
此致、
Lee
RXDET 可由寄存器0x02[7:6]控制
寄存器写入的序列、用于同时为所有8个通道复位 rxdet 状态机。
寄存器 写入数据
0x02 = 80'h
0x02 = C0’h
0x02 = 80'h
0x02 = 00'h
这将为所有八个通道重新启用 rxdet 状态机。
要控制少于8个通道的端接、需要在寄存器0x08中覆盖 RXDET 引脚。
寄存器 写入数据
0x08 = 08'h
然后 、需要使用以下序列对要控制的每个通道的终端进行编程。
CH0的示例
寄存器 写入数据 注释
0x0E = 00'h (输入 hi-z、因此终止被关闭)
0x0E = 0C'h (输入为50 Ω)
CH1的示例
寄存器 写入数据 注释
0x15 = 00'h (输入 hi-z、因此端接被关闭)
0x15 = 0C'h (输入为50 Ω)
我将查看寄存器0x01的功能、了解它如何替换 PWDN 引脚
此致、
Lee
通过 寄存器0x01控制减少单个通道功率的能力。 请注意、这种低功耗状态不会关闭器件上的输入端接。
要复位单个通道 RXDET 状态机、需要执行以下寄存器写入序列。
CH0的示例
寄存器 写入数据 注释
0x08 = 08'h (覆盖 RXDET 配置引脚
0x0E = 00'h (输入 hi-z、因此终止被关闭)
0x0E = 08'h (输入在 RXDET 发生前为高阻态)
注意: 覆盖寄存器0x08中的 RXDET 引脚最初将影响所有8个通道。 在初始更改之后、可以使用上述序列修改各个通道。
此致、
Lee