[参考译文] SN65LVDS84A：SN65LVDS84AQDGG：该芯片在热插拔过程中很容易损坏。 是否有任何解决方案？

您好、Cris

     您发现问题的最可能原因是热插拔时发生的瞬态 ESD 尖峰。 解决此问题的一种方法是使用 TVS 二极管(瞬态电压抑制器)、确保瞬态电压尖峰不会超过 SN65LVDS 器件可以承受的值

谢谢

Vijay

你好

   您提到，“芯片断裂是由异常阻抗造成的”。 根据您描述的内容、IC 似乎首先损坏、并且由于损坏、它读取的是异常阻抗。 在我看来、器件内部的一个或两个 ESD 二极管会对电源或接地短路、其影响可能是您根据测量结果看到的。 您能解释一下在哪里添加了 TVS 二极管吗？ 在芯片侧还是在连接器侧？ 我建议在连接器侧添加 TVS 二极管、使扼流圈位于 IC 和连接器之间。  

谢谢

Vijay

CRIS

   这两个步骤都需要完成。 需要在连接器侧添加 TVS 二极管、但在两者之间放置扼流圈也很重要。 该器件本身具有一些内部 ESD 保护。 器件内部的 ESD 保护主要用于支持 HBM 触发的 ESD 条件、主要见于处理过程中。 这假设 ESD 事件保持短时间间隔、内部 ESD 器件可以导通并灌入瞬态电流、并在短时间内保护 IC。 但是，热插拔事件会导致电压瞬变停留较长时间，需要 IC 内部采用特殊的 ESD 保护方案。 如果 IC 没有支持内部热插拔的 ESD、 然后、热插拔事件将导致静态事件、该事件会停留相当长的一段时间、从而损坏 ESD 器件(损坏通常最终导致对电源或接地短路、或者在某些情况下导致开路)、从而导致您看到的阻抗测量行为

外部 TVS 二极管可能不起作用、因为 IC 内部的内部 ESD 可能会首先触发、或者外部 TVS 二极管可能无法充分降低电压瞬态。 这是 CM 扼流圈有助于实现一点隔离的地方。

谢谢

Vijay