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[参考译文] SN65LVDS100:接收器等效电路原理图

Guru**** 2448780 points
Other Parts Discussed in Thread: SN65LVDS100

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/648389/sn65lvds100-receiver-equivalent-schematic

器件型号:SN65LVDS100

大家好、

在我们的使用中、当 Vcc 引脚处于高阻抗状态或0V 拉接 GND 时、可输入差分输入信号。

此时、我将检查器件是否不会损坏或是否会出现异常输出。

因此、我将查看 数据表中的8.1绝对最大额定值(1)和10.3.1.6接收器等效电路原理图。

如果差分输入低于4.3V、我不会有断开的风险、我意识到高阻抗不会导致问题、尤其是输入端子仅是 MOS 栅极、二极管连接到 GND 侧。

但是、我担心绝对最大 输入电压比 Vcc 的4V 高0.3V。

  尽管接收器等效电路原理图中没有、但 Vcc 中是否有用于 ESD 保护的二极管?

如果是、我认为输入 电压始终需要小于 Vcc + VF。

此致、

Tomoaki Yoshida

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    Tomoaki 您好、

    ESD 结构接地。  II (off)数据表规格显示、可以让 Vi > VCC。

    此致、

    Lee

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    您好、Lee - San、

    感谢您的支持。

    我知道我们的用法没有问题。

    我在数据表中有一些我不了解的器件。

    数据表第5页上的额定功率耗散和器件功率耗散之间有何差异?

     ℃SN65LVDS100的器件功耗为110mW、而 DGK 封装的 Δ Rθja 为263°C/W、是否可以承受高达28.93 μ V 的温度上升?

    110mW * 263°C/W = 28.93°C

    Tj_max 是否为125℃?

    此致、

    Tomoaki Yoshida

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    大家好、Tomoaki-San、

    此器件在85°C 工作温度和110mW 功率耗散条件下的最坏情况。  85°C 环境温度和热性能增加的组合为 :85°C + 28.93C = 113.93C。  我认为最大 Tj 为125C、因此没有问题。

    此致、

    Lee