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[参考译文] ISO5851：用于开关 MOSFET 的负输入电压还是零输入电压？

admin
Guru**** 1956055 points
Other Parts Discussed in Thread: ISO5851, ISO5451
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/688209/iso5851-negative-or-zero-vin-to-switch-the-mosfet

器件型号：ISO5851
主题中讨论的其他器件： ISO5451

尊敬的同事：

对于 ISO5851或 ISO5451、有0V 电压来开关 MOSFET 还是真的需要负电压来关闭 MOSFET？

非常感谢、

传真

  • 0
    TI__Guru**** 1956055 points
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    您好传真：

    我们建议为功率 FET 在高频开关且栅极电压振铃较高的应用提供米勒钳位功能和负电源。

    此致、

    熊

  • 0
    TI__Guru**** 1956055 points
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    熊您好、

    感谢您的回复。 高频和高栅极电压是什么意思？ 您是否有 f 和 V 范围、我仍可以使用0V 来关闭 MOSFET？

    谢谢、
    传真
  • 0
    TI__Guru**** 1956055 points
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    您好传真：

    负电压用于在 PWM 信号为低电平时将 FET 钳位为关断状态、并防止 FET 由于米勒电容而错误导通。 当栅极电压 Rining 为高电平时、建议使用负电压、这通常发生在 FET 以高 dv/dt 压摆率进行高频开关时。 电压振铃也取决于 PCB 板设计。 因此、很难简单地设定一个电压和频率范围。 通常、我们建议客户为基于 SiC 的应用使用负电源。

    此致、
    熊
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