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[参考译文] UCC21520:使用 UCC21520的并联 MOSFET 驱动器,使用的最大自举电容器是多少

Guru**** 2482105 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC21520

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/668115/ucc21520-parallel-mosfet-drive-with-using-ucc21520-what-is-the-maximum-bootstrap-capacitor-to-use

器件型号:UCC21520

您好,

我们将 UCC21520与 MOSFET 一起用于电机控制。

我们 使用并联 MOSFET 为每个相位使用6MOSFET 的三相电机

高侧栅极3MOSFET//低侧栅极3MOSFET。

电流、我们使用20uF 自举电容器实现1kHz - 40kHz 的开关频率。 VCC=5V、VDD =12V、总线电源48V

我们对于选择自举电容器满足我们的要求有疑问。 与使用20uf 电容器进行比较、从数据表和仿真中可以看出。

请让我们看看我们在引导时使用的20uF 正确电容器。

此致

Muthekrishnan P

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Muthekrishnan、

    我叫 Mamadou Diallo、是 MID (MOSFET 和 IBGT 驱动器)的应用工程师、我将致力于帮助您解决您的问题。

    确定自举电容器的最大值取决于许多因素、例如高侧和低侧的最小和最大占空比要求、以及外部自举电容器的选择和其他因素。   

    只要您选择合适的自举二极管来处理来自该自举电容器的峰值电流、使用20uF 电容器可能是可以的。 此峰值电流与自举电容器相关、其关系为 IPEAK = CDV / dt。 请记住、自举电容值越高、启动时的充电时间就越长。


    这种材料 将有助于选择自举电容器和考虑因素。

    此致、  

    -Mamadou

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    您好、Mamadou Diallo、
    感谢你的答复。

    数据表中提到了灌电流和拉电流峰值 CVDD 为10uF、因此我们有一点困惑。
    到目前为止、我们使用的是20uf、因此我们不需要确认相同的自举电容器。 再次感谢您。


    此致
    Muthekrishnan P
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    您好、Muthekrishnan、

    感谢您的回答!
    您为何为您的应用选择20uF 有什么具体原因吗?

    由于前面提到的峰值电流可能会在启动时损坏自举二极管、因此它看起来非常高。 您可以添加一个串联电阻器来减轻该电流峰值的影响、但另一方面、它会减慢启动时间。

    尽管您现在没有发现任何问题、但我建议首先根据您使用的 FET 确定所需的最小自举电容器、然后相应地选择合适的安全自举电容器电平。 此外、您还需要保持自举电容与去耦(CVDD)电容的比率为10:1。

    此致、

    -Mamadou
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    您好!
    感谢您的回复、
    我们在每个栅极中使用了3个 MOSFET 并联驱动器、每个 MOSFET 的总栅极电荷为121nC。 我们的工作开关频率为1kHz 至40kHz。
    本例是我们使用20uF 自举电容器的原因。 我们现在使用的3A 自举二极管和0.7W 串联电阻器。

    此致
    Muthekrishnan P
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    您好、Muthekrishnan、

    感谢您的更新...
    根据栅极电荷、绝对最小自举电容的估算值为0.106uF。 一个良好的经验法则是确保您的实际值至少比估算值大10倍(1uF-2uF)、此外、如前所述、您需要选择自举电容器和去耦电容器、以便 CVDD 至少比 Cboot 大10倍。
    我强烈建议先选择较小的自举电容值、然后根据您的要求和需求进行相应调整。

    如果这解决了您的问题、请单击绿色按钮、如果您有其他问题、请告知我们!

    此致、

    -Mamadou