[参考译文] TPS65982：Q2 MOSFET 烧接问题

尊敬的 Kai：

当外部 OCP 超时设置为5.12ms 时、FET 需要能够吸收接近100W 的功率(20V、5A)、VDS = 20V (VBUS =接地)。 市场上没有太多的 FET 具有如此强大的 SOA 曲线、可在如此长的时间内处理如此大的功率。 相反、我们建议将其设置为640uS 并进行检查、以确保您的 FET 能够在长达1.5ms 的时间内处理 VDS=20V 和 IDS=5A。 选择640uS 超时值时、实际值的范围为640uS 至1.3mS。 您说、关闭 FET 需要1ms。 这在规格范围内。

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谢谢、

Eric

尊敬的 Kai：

我们不建议使用低于640uS 的设置、因为当电流中出现小毛刺脉冲时、可能会导致外部路径上的 OCP 跳闸错误。 相反、我们建议使用具有适合此应用的 SOA 曲线的外部 FET。 您可以参阅 CSD16323的数据表、了解推荐的外部 FET 示例。

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Eric