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[参考译文] ISO5852S：输出端的 MOSFET 升压器

admin
Guru**** 2538930 points
Other Parts Discussed in Thread: ISO5852S

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/725056/iso5852s-mosfet-booster-at-output

器件型号：ISO5852S

ISO5852S 的输出拉电流容量为2.5A、我们能否在输出端使用 MOSFET 升压器来增加输出拉电流和灌电流容量？

在 ISO5852晶体管的应用手册中、该晶体管用于电流升压、可在高达50kHz 的开关频率下使用、峰值拉电流和灌电流为50A？

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    TI__Guru**** 2538930 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Amtech：

    感谢您关注我们的器件、ISO5852S 的拉电流/灌电流能力为2.5A 是正确的。

    为了增加拉电流/灌电流、我们通常建议在隔离式驱动器的输出端使用一对 NPN/pn 晶体管来实现 BJT 缓冲级、这很简单、成本很低。 此设计与频率无关、但仅限于同相配置、该配置与数据表中所述的驱动器的去饱和故障保护电路不兼容。

    进入 IBGT 的最大拉电流/灌电流由 IGBT 栅极上的电压与导通/关断路径上的总电阻之比决定)。

    下面复制的链接详细介绍了此主题。

    www.ti.com/.../tiduc70a.pdf

    但是、到目前为止、我还没有遇到使用 MOSFET 升压器来提高电流能力的设计。

    您能告诉我有关您的设计的更多信息吗？ 为什么使用 MOSFET 升压器？ 您的系统对 NPN/PNP 晶体管对有任何限制吗？

    谢谢。

    此致、

    -Mamadou
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    TI__Guru**** 2538930 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Amtech：

    我没有听到你的声音。 我将关闭该线程。
    如果这解决了您的问题、请按绿色按钮、如果您需要进一步的帮助、请告知我们。

    谢谢。

    此致、

    -Mamadou