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https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/935079/dp83826i-dp83826-cap-on-cext-pin
尊敬的 TI 团队：
我的客户希望在其设计中使用 DP83826I。
根据 CEXT 引脚上的数据表、应将2nF 电容连接到 GND。
在 EVM 原理图中、我们显示了一个已组装的1nF 电容器。
您能否澄清一下 DP83826器件中使用 CEXT 引脚和连接的电容的用途。
请阐明哪个 CAP 值是要填充的正确值。
谢谢、此致、
Joe
如果可能、最好为 CEXT 的电容值设置一个范围、以便能够从其他使用的值中选择一个。
Joe、您好！
数据表中列出了正确的 CEXT 值。 请在此引脚上使用2nF 电容器。
此致、 Justin
您好 Justin、
感谢您的快速响应！
您能否对其他问题发表评论？
-如果可能的话、最好有一个 CEXT 电容器的电容值范围、以便能够从原本使用的值中选择一个？
-您能否澄清 DP83826器件中使用的 CEXT 引脚和连接的电容是什么？
我问、因为在评估板上使用的是1nF。 此外、值2n 不是那么常见、而是2n2。
感谢您的提前帮助！
赫尔曼
您好、Hermann、
我在 TI.com 上的 DP83826 EVM 上看到的是、CEXT 上似乎有一个0.1uF 的电容器。 我已经确认这种情况已经过时、并注意到原理图应该更新为2nF。 您能否帮助我指出1nF 电容器的位置？
CEXT 上的2.2nF 电容器是可以接受的。
感谢您提供2n2的信息、评估原理图已经过时！
1N 是一个排印错误、当然、我的意思是0.1u
此致、
