[参考译文] DP83TD510E-EVM：DP83TD510E：DP83TD510E-EVM 中终端电路的电阻器

您好、Gerrit、

我们将在团队内部进行讨论、并在本周晚些时候与您联系。

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此致、

林希尔曼

您好、Gerrit、

R14、R19、R17和 C118均是 PHY 内部针对其他 PHY 产品进行设计。  R19和 R124用于高功率耗散、以在通信期间释放热量。 因此、需要具有大封装尺寸的1W 电阻器。 更详细的信息我无法对外分享。

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此致、

林希尔曼

尊敬的 Hillman：

非常感谢你的答复,即使它没有真正回答我的问题。 当然、更大的电阻器将消耗更大的功率、但我无法理解为什么此时会产生更大的功率(RX 输入将具有最大值。 15 μ A)。

在签署保密协议时是否可以获得更多信息？

此致、

Gerrit。

您好、Gerrit、

DP83TD510数据表中关于本质安全的8.2.1部分可能会帮助您解决为何需要高功率耗散容差电阻器的问题。

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此致、

林希尔曼

您好、Hilman：

我想您指的是这一版本的 DP83TD510E 数据表：SNLS656C–2020年8月–2020年12月修订

在第8.2.1章中、我了解到了有关电阻的一些信息(Rrx1=RRX2=2k、Rx1=RTX2=50R)。 我看不到有关最大值的任何信息。 功耗增大。 或者我漏掉了什么内容吗？

另外、查看 EVAL-ADIN1110的原理图时、我们发现了一个非常相似的端接电路。 但 RRX1=RRX2=5k1、采用0603封装、具有最大 63mW (与 DP83TD510E-EVM 的2k/1W 相比)。 当然、各个元件在细节上可能会有所不同、但我想不出任何合理的原因为什么 TI 元件会通过输入电阻产生如此多的功率损耗...

您好、Gerrit。

我们将在团队内部进行讨论、并将在本周晚些时候告知大家。

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此致、

林希尔曼

您好、Gerrit、

抱歉、我们仍在等待内部响应。 我们将尽快与您联系。

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此致、

林希尔曼