你好
您能告诉我们以下几点吗？ 前2项是客户在数据表中未找到的信号信息。 其余是可能需要澄清的时机：
TX[3：0]：VIN_H 和 VIN_L
您好、Mellisa
感谢您的回答。 以下是我的答复：
您问了很多 :我正在进行测试,所以有关该段的更多细节,越好。
第1季度 ：清除
第2季度 ： MDI 输出共模电压：Vout_H 和 Vout_L
共模电压没有表征。
是否有任何标准可用于定义以 GND 为基准的 MDI 常见电压及其测量？ 开放联盟认证的高级开发人员？
100Base-T1为何不存在公共电压？ 汽车 CAN 总线也是差分类型、但共模电压也很重要。
第3季度 ： 如何理解 T5.2？ 所有电源的延迟偏移是多少？
这意味着、 如果所有电源 不同时斜升、它们必须 在彼此的10ms 内斜升。
您能提供一个时序图吗？ 数据表中的图不容易理解。
问题4 : T5.6是否可用于以太网 IC 以外的测量? 以及如何实现？
问题5 ：此引脚用于 DP83TC813R-Q1的时钟是否是？
问题6 ：清除。
Yanan、您好！
您能否提供有关此测试的更多详细信息？ 它的作用是什么？ 这适用于特定标准吗？ 如果我们能理解为什么这些信息会对客户有用以供将来参考、这将对我们的团队大有裨益。
Q2 ： MDI 输出共模电压：Vout_H 和 Vout_L
共模电压没有表征。
是否有任何标准可用于定义以 GND 为基准的 MDI 常见电压及其测量？ 开放联盟认证的高级开发人员？
100Base-T1为何不存在公共电压？ 汽车 CAN 总线也是差分类型、但共模电压也很重要。
[/报价]PHY 标准中未提及这一点。 我不熟悉 CAN、因此无法对此发表评论。
Q3 ： 如何理解 T5.2？ 所有电源的延迟偏移是多少？
这意味着、 如果所有电源 不同时斜升、它们必须 在彼此的10ms 内斜升。
您能提供一个时序图吗？ 数据表中的图不容易理解。
[/报价]
[/quote]Q4 : T5.6是否可用于以太网 IC 以外的测量? 如何使用？同样、只要所有设计要求都满足、T5.6就受 PHY 保护、因此我不确定您想要测量的原因。
探针复位和自举引脚。 然后、将 PHY 保持在复位状态、T5.6将是复位完成切换且自举引脚锁存到正确状态的时间。
[/quote][/quote]Q5 ：此引脚用于 DP83TC813R-Q1的时钟是否是？
[/报价]
可以。
此致、
梅利萨
Yanan、您好！
Q2 ： MDI 输出共模电压：Vout_H 和 Vout_L
[/报价]共模电压没有表征。
是否有任何标准可用于定义以 GND 为基准的 MDI 常见电压及其测量？ 开放联盟认证的高级开发人员？
100Base-T1为何不存在公共电压？ 汽车 CAN 总线也是差分类型、但共模电压也很重要。
必须在线购买这些标准： https://standards.ieee.org/ieee/802.3/7071/
[/quote][/quote][/报价]我在原来的帖子中附上了 T5.2的备选时序图、放在原始时序图下方以供参考。
如果您错过了它、我将再次将其附在这里。 在本例中、VDDA 和 VDDIO/VSLEEP 未精确同时斜升、因此延迟偏移是从第一个电源斜升到最后一个电源完成斜升的时间。
[/quote][/报价]这是可行的。 如前所述、测量 T5.6的方法是 探测复位和搭接引脚。 然后、将 PHY 保持在复位状态、T5.6将是复位完成切换且自举引脚锁存到正确状态的时间。
此致、
梅利萨
谢谢您、Melissa。
所有问题都很清楚、 Q4 ： T5.6是否可在以太网 IC 外部进行测量？ 以及如何实现？
这是可行的。 如前所述、测量 T5.6的方法是 探测复位和搭接引脚。 然后、将 PHY 保持在复位状态、T5.6将是复位完成切换且自举引脚锁存到正确状态的时间。
自举引脚锁存到输入电压时的行为是否存在迹象？
CH1和 CH2是电源、CH3是复位信号。
CH4是自举引脚电压(2级配置中的模式2)。 在高电平持续时间内、电压在哪个时刻被锁存？
谢谢你。 Melissa。
关于上电后振荡的启动时序、我还有另一个问题。
我抓取了下面的波形：
25°C、
CH1和 CH2：电源； CH3：RESET； CH4：CLKOUT。 从复位释放到 CLKOUT 开始切换：7.58ms
CH1：VDDA； CH2：XI； CH3：XO； 从复位释放至晶振振荡稳定(XI 引脚)：3.87ms
从复位释放到晶体振荡稳定(XO 引脚)：3.63ms
2. 85°C，
CH1和 CH2：电源； CH3：RESET； CH4：CLKOUT。 从复位释放到 CLKOUT 开始切换：7.58ms
CH1：VDDA； CH2：XI； CH3：XO； 从复位释放至晶体振荡稳定(XI 引脚)：49.7ms
从复位释放到晶体振荡稳定(XO 引脚)：19.6ms
3. -40°C，
CH1和 CH2：电源； CH3：RESET； CH4：CLKOUT。 从复位释放到 CLKOUT 开始切换：7.22ms
CH1：VDDA； CH2：XI； CH3：XO； 从复位释放至晶体振荡稳定(XI 引脚)：27.7ms
从复位释放到晶体振荡稳定(XO 引脚)：13.7ms
此处的问题：
加电后 XI/XO 的开始时间@ 不同的温度差异很大、但 CLKOUT 时序几乎是一样的。
1.我认为 CLKOUT 来自 XI/XO、所以 CLKOUT 应该晚于 XI/XO 启动。 但测试结果显示-40和85°C 的结果相反。
我在热处理室内进行了-40和85°C 测试、而在露天环境中进行了25°C 测试。 您认为 XI/XO 测试结果不正确吗？ 因为振荡器探针具有<12.0pF 的寄生电容、负载电容为8.2pF、这会极大地影响启动时序。 我是否应该将 CLKOUT 时序作为 XI/XO 测试结果？
2. XI 启动时间通常为0.35ms，探头电容是否会对结果造成如此大的影响？
3、如何测量 XI/XO 的准确起始时间?
谢谢你,梅丽莎
以下是我的答复：
2. XI 启动时间通常为0.35ms，探头电容是否会对结果造成如此大的影响？CLK 信号的探头和测量方式可能会影响延迟。 请注意、0.35ms 只是典型启动时间、它可以运行更长时间。
[/报价]较长的启动时间为7.22~7.58ms、远远超过典型值。 0.35ms.. 偏差大约是典型值的20倍。 IC 正常运行是否可接受？
[/quote]3、如何测量 XI/XO 的准确起始时间?您可以尝试调整示波器设置(带宽限制、采集模式、强度或尝试不同的探头)。 您如何测量信号、您能否提供图片？ 我或许能够更好地向您提供更多背景信息。
[/报价]已断开原始设置以进行其它测试。 我用相同的测试线和探针拍了一些照片、如下所示：
Tek OSC 探头：200MHz BW、10MΩ Ω、<12pF
Yanan、您好！
较长的启动时间为7.22~7.58ms，远远超过典型值。 0.35ms.. 偏差大约是典型值的20倍。 IC 正常操作是否可接受？
只要您不看到任何其他功能问题、这 是可以的。 您的系统是否有快速启动时间要求？
我猜白色电线是 XI、这是正确的吗？ 您是否尝试过直接在引脚上进行探测？ 您如何探测电源？
我对 EVM 进行了非常粗略的测量、使用 <1pF、1MOhm、<=1.5GHz 探头、我看到~3ms 的延迟。
此致。
梅利萨
您好、Melissa
Yanan、您好！
较长的启动时间为7.22~7.58ms、远远超过典型值。 0.35ms.. 偏差大约是典型值的20倍。 IC 正常运行是否可接受？只要您不看到任何其他功能问题、这 是可以的。 您的系统是否有快速启动时间要求？
[/报价]我需要确认启动要求。 目前、以太网链路运行良好。
[/quote]我猜白色电线是 XI、这是正确的吗？ 您是否尝试过直接在引脚上进行探测？ 您如何探测电源？
我对 EVM 进行了非常粗略的测量、使用 <1pF、1MOhm、<=1.5GHz 探头、我看到~3ms 的延迟。
[/报价]白线为 XO、上面的 XO 测试设置用于-40和85ºC Ω。 25ºC Ω 的 XO 探测位于下方、带有螺旋接地环：
电源探测如下所示、电源的输入电容器上焊接有导线：
此外、您能否共享抓取的波形？
Yanan、您好！
我需要确认启动要求。 目前，以太网链路运行良好。
只要以太网 PHY 正常工作并且满足所有系统要求、就不需要担心 XI 启动时间更长。
您使用的是小线圈的尖头与桶方法、我是正确的吗？ 好极了。 但是、请尝试探测更靠近引脚的点、并使用电容更小的探头。
下面是一些非常粗略的测量照片、我将在尽可能靠近引脚的位置进行探测。
1.3.3V 至 XI 引脚、每个方形为2ms：
2.1.8V 至 XI 引脚、每个正方形为2ms：
这是我在前面提到过的、我正在使用的探针。
此致、
梅利萨
您好、Melissa
感谢您的建议。 我尝试的 方式 如下：
我需要确认启动要求。 目前、以太网链路运行良好。只要以太网 PHY 正常工作并且满足所有系统要求、就不需要担心 XI 启动时间更长。
您使用的是小线圈的尖头与桶方法、我是正确的吗？ 好极了。 但是、请尝试探测更靠近引脚的点、并使用电容更小的探头。
[/报价]@室温下、我使用了另一个电容更低(3.9pF)的探针、发现启动时间大幅缩短、如下图所示：
CH1：VDDA； CH2：XI； CH3：XO
XI 启动时间从3.87ms (<12pF 探针)降至2.755ms (3.9pF 探针)；
XO 启动时间 从3.63ms (<12pF 探针)减少到2.295ms (3.9pF 探针)。
但是、XI 和 XO 由 VDDIO (1.8V)而不是 VDDA (3.3V)供电、因此我在 VDDIO 准备就绪作为时序基准的时刻重新进行测试。
@室温、 波形 如下：
XI 启动时间--1.547ms (3.9pF 探头)；
XO 启动时间--- 1.103ms (3.9pF 探头)。
使用电容比我的小的探头时、您的测试结果约为1.0ms。 因此、它对于您获得更好的结果是合理的。
对于探头电容、XI 启动时间为1.547ms、约为典型值的4.4倍。 0.35ms、因此我认为对于没有电路中涉及探针的实际电路而言、启动时间会更短、应该接近于您的结果1.0ms。
我将测量值@ -40和85ºC ̊ C、以检查不同温度之间的差异 美国
CH1：VDDIO； CH2：XI CH1：VDDIO； CH2：XO
此外,我有一个疑问:为什么你的 XI 来到最大 Vpp (约1.7V )后 仅1个周期 而我的增大至其 Vpp_max 逐渐进行大量的周期、 ？ 我的原理图如下所示。 与您的 EVM 电路有什么不同？
您好、Melissa
1、 是的,我同意你的意见。 电容越高、启动时间就越长。
由于 OSC 探针的寄生电容、实际启动时间无法抓取。 相反、我们可以并且应该使用电容最低的探头进行此测量、以便 从实际中获得最接近的数据。
2 我检查了 EVM SCH。 它还使用无源外部晶体振荡器。 使用 我的 PCBA、我复制了显示错误频率和 Vpp 渐进变化的波形、如下所示：
CH1：VDDIO； CH2：-25MHz 以500kS/s 的 OSC 获取的 XI-OSC 时钟
高频信号 但 使用低采样率 OSC 采集、会导致波形失真。 25MHz 的频率约为465Hz。
3. -40 & 85ºC μ F、由于 PCBA 被置于热处理室中、 我使用焊接屏蔽同轴电缆将信号从处理室外引至 OSC。 由于 电缆的寄生电容、电缆会导致大量的启动时间。
@25ºC、我使用焊接电缆重新测量 Δ R、如下所示进行比较。 电缆的引入电容非常重要。
VDDIO 到 XI： 1.521ms (25℃ 直接探测) VDDIO 到 XI： 4.531ms (25℃ -使用焊接于 XI 的长线进行探测)
