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团队成员:
通过 TI.com 与 D/S 进行检查。它确实提到了 Tj 规格、但我通过 e2e 找到了如下答案: 对于 DP83826、建议的最大 Tj 是 E 版本的110°C、对于 I 版本的90°C。
但需要再次确认的是 I 版本的环境温度可以达到85摄氏度。 为什么 T 结温只低至90摄氏度? 根据52°C/W 的热阻和45mA & 0.148W 的功耗、在85°C 的环境温度下、结温已超过90°C、这与它可用于85°C 环境温度的规格不一致。
非常感谢您的评论。
BTW、为什么 DP83826E 和 I 版本具有 如此大的温差? 裸片原因还是设计裕度?
您好!
感谢您的提问。 我们正在就此与内部团队进行核实、但由于是节假日、请预计会有延误回复。 我希望了解最新的 EOD 11/2。
此致、
格罗姆
您好、 Gerome:
Tks 对于评论,你的答复是真的很感激 .
您好、Allen:
在与团队核实后、有大量有关热阻计算的文献。 与您最相关的内容:
- Theta_J_A 用于比较器件,但不用于实际温度计算
- PSI_J_T 用于应用计算,使用公式 Tj = TC + PSI_J_T * Sigma_Power。 TC 是客户将使用热电偶进行物理测量的外壳顶部温度。
此致、
格罗姆
您好、Gerome:
注释为 TKS、但正如我所检查的、当我们在85C°,下 使用公式 Tj = TC + PSI_J_C * Sigma_Power = 85 + 42 *(3.3V* 0.045mA)=85+6.237=91.237 > I 版本的90°C 工作时。
它是否超出规格要求?
我的道歉 Allen、不是 PSI_J_C、而是 PSI_J_T。 我已更正我上一篇文章以更正此拼写错误。 这将在高于外壳温度时增加0.14C。
此致、
格罗姆
注释如下:
因此 Tj = TC + YJT * Sigma_Power = 85 + 2.1 *(3.3V* 0.045mA)= 85+0.311=85.311、我是正确吗?
但奇怪的是、.14C 是如何产生的?
在外壳温度以上添加.14C [/报价]
您好、Allen:
0.14C 来自3.3V 时 VDDA/VDDIO 之间67mA 最大总功率贡献。 通过使用热电偶、这个值将被添加到 IC 顶部测得的温度上。
此致、
格罗姆