如下图所示、TI 的 ESD 保护器件中 USB 接口的 ESD 结电容存在显著差异。 在不同的 IEC 61000-4-2静电测试条件下、建议的 ESD 二极管结电容也会有所不同;
请帮助确认静电测试要求是否不同、以及相应的结电容是否也不同。 谢谢您;
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如下图所示、TI 的 ESD 保护器件中 USB 接口的 ESD 结电容存在显著差异。 在不同的 IEC 61000-4-2静电测试条件下、建议的 ESD 二极管结电容也会有所不同;
请帮助确认静电测试要求是否不同、以及相应的结电容是否也不同。 谢谢您;
尊敬的 Tonyx.Wu:
为了澄清一下、此表描述了我们器件的规格、而不是 USB 应用的要求。 每个器件的 IEC 额定值和电容值各不相同。 例如、TPD1E10B06DPY 的 IEC 额定接触电压为30kV、空气间隙为30kV、寄生电容为12pF。 同样、ESD321DPY 的 IEC 额定接触/空气间隙为30kV、寄生电容为1pF。 这两个值都取决于内部裸片工艺、不一定相互关联。
如果您有任何问题、敬请告知!
此致、
J·普拉盛
尊敬的 Tonyx.Wu:
使用 TI 的产品选择工具、我过滤了工作电压、以便仅显示3-5V 器件。 如下图所示、对于 IEC 接触额定值为30kV 的器件、电容从低至0.5pF 到高至19pF 不等。
这些器件的电容由内部芯片决定、而不是 ESD 额定值。 相反、ESD 额定值也不是由器件的电容决定的。 对于一小部分器件、它们可能看起来是相关的、但从整个产品系列来看、ESD 等级与二极管的电容没有任何关系。
我希望这有助于澄清任何混淆、如果您有任何其他问题、请告诉我!
此致、
J·普拉盛