[参考译文] TUSB216I：

您好！

您能否共享合规性报告、以便我了解它如何失败以及正在运行什么测试？

谢谢。

尼古拉斯

嗨、Nicholaus：

随函附上测试报告。 所有测试均按如下方式完成。

1. HS 器件
2. 远端
3. 2米前置通道电缆和2米后置通道电缆

测试1是在 RX_SEN=MID 且 BOOST=1的情况下执行的。

测试 2是在 RX_SEN=MID 且 BOOST=3的条件下执行的。

测试 3是在 RX_SEN=高电平且 BOOST=3的情况下执行的。

所有3项测试均未通过远端一致性测试。

感谢您的帮助。 谢谢。

e2e.ti.com/.../Test1_5F00_device-test_5F00_high-speed-_5F00_far-end_5F00_RX_5F00_SENmid_5F00_BOOST1_5F00_2mPreChannel_5F00_2mPostChannel.pdfe2e.ti.com/.../Test2_5F00_device-test_5F00_high-speed-_5F00_far-end_5F00_RX_5F00_SENmid_5F00_BOOST3_5F00_2mPreChannel_5F00_2mPostChannel.pdfe2e.ti.com/.../Test3_5F00_device-test_5F00_high-speed-_5F00_far-end_5F00_RX_5F00_SENhigh_5F00_BOOST3_5F00_2mPreChannel_5F00_2mPostChannel.pdf

此致。

Oo

您好、

所有这些测试的电压输出差分(VOD)都非常低。  当您使用不同的主机时、此合规性结果是否会发生变化？

我建议该主机尽量将 TUSB216I 上的 DC_GAIN 增加到尽可能高的值、然后重新测试。  

此致、

尼古拉斯

嗨、Nicholaus：

对于测试2和测试3、TUSB216I 的升压电平均设置为电平3。 但是、我无法看到 VOD 有任何明显的改进。 同时、我将安排使用不同的器件进行测试。 感谢您的帮助。 谢谢。

此致。

Oo

您好、

我明白了。  您是否能够使用 I2C 模式？  在 I2C 模式下、您能够将 DC_Boost 电平调整为高于使用引脚搭接设置的水平。  DC_BOOST 寄存器(第7.5.3节0x0E)中的字段 DCB_LVL 可以调整为0x0F、这是最高的 DC_Boost 设置。  不要忘记将配置寄存器从0x00更改为0x00、更改 DC 设置、然后再改回0x01。

TUSB216I 上的直流升压特性只会略微改变 VOD、但这应该提供最大的改进。  VOD 在 合规性测试结果上表现可疑、其表现应该是原来的两倍。  正是由于这个原因、我认为信号源可能较弱、与其他器件进行检查会有所帮助。

此致、

尼古拉斯

嗨、Nicholaus：

我在主机的 D+/D-处找到了两个串联电阻。 因此、我将它们替换为0欧姆。 随函附上调查结果。  结果使我对设置感到困惑。 对于2m Pre-channele2e.ti.com/.../USB2d0-Cable-Performance-Review.pdf 和1m 后置通道、为什么 BOOST=1且 RX_SEN=MID 具有比 BOOST=3和 RX_SEN=HIGH 更好的 VOD？ 现在、我尝试使用6m 前置通道和1m 后置通道。 将更新结果。 感谢您的帮助。 谢谢。

此致。

Oo

您好、

是否有任何后续问题？  

此致、

尼古拉斯