您好!
我计划在我的 USB Type-C 应用中使用此多路复用器或多路信号分离器。 数据表中提到"如果系统中的共模电压高于2V、则耦合电容器位于开关的两侧(如图6所示)。 这种情况下需要小于2V 的偏置电压"。 在本例中、共模电压可高达2.2V。 我想了解该电路以及交流耦合电容器和 VBIAS 电阻器的计算。
请帮我解决这个问题。
谢谢。此致、
Rajesh G,
8555085326
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您好!
我计划在我的 USB Type-C 应用中使用此多路复用器或多路信号分离器。 数据表中提到"如果系统中的共模电压高于2V、则耦合电容器位于开关的两侧(如图6所示)。 这种情况下需要小于2V 的偏置电压"。 在本例中、共模电压可高达2.2V。 我想了解该电路以及交流耦合电容器和 VBIAS 电阻器的计算。
请帮我解决这个问题。
谢谢。此致、
Rajesh G,
8555085326
尊敬的 Rajesh:
如果您的共模电压将高于2V、那么您正确地说、MUX 应该在两侧进行交流耦合。
USB 规范规定、信号线路上的总电容需要保持在 75nF - 265nF 。 这 通常是通过在发送器附近使用100nF 至220nF 的电容器、在接收器附近使用330nF 的电容器来实现的。 下面这个图表显示了它的 外观:
在该示例中、每条线路上的总电容约为132nF、完全处于该规格设置的75 - 265范围内。
当 在主机侧或器件侧附近对多路复用器的两侧进行交流耦合时、需要在信号路径中添加第三个电容器。 您可能需要增加耦合电容器的电容、以使总电容保持在规格范围内。 我在图中添加了一个 Type-C MUX、以显示两侧交流耦合的连接:
在这种情况下、您需要将主机侧 TX 上的总电容保持 在100 - 220nF 之间。 在 RX 侧、将总电容保持在330nF 左右。 例如、您可以 对 TX 线路在 MUX 两侧使用220nF。 这会使 主机侧的总电容达到110nF。
我建议对 VBIAS 使用相对较弱的偏置电阻。 200千欧接地、或0 - 2V 之间的偏置电压应该可以正常工作。
如果您有任何问题、请告诉我。
此致!
谢恩
尊敬的 Rajesh:
增加额外电容和共模电压>2V 和偏置电阻器与接地之间的关系是什么?
额外的电容器与偏置电阻器相结合、会将共模电压设置为任何 VBIAS。 使用一个接地偏置电阻器将共模电压设定为 MUX 附近的0V。
如何计算特定频率的交流耦合电容器值。 例如2.4GHz?
交流电容值将不取决于您使用的频率。 只需确保信号线上的总电容在75nF - 265nF 范围内。
此致!
谢恩