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器件型号：TPD3S716-Q1 主题中讨论的其他器件：TUSB4020BI
您好、应用团队：
我的客户在适用于 USB 上行和下行端口应用的2x TPD3S716QDBQRQ1中拥有设计。
您能帮忙审阅原理图并提供审阅建议吗？
谢谢！
e2e.ti.com/.../USB_5F00_TUSB4020BI_5F00_Schemaitc.pdf
罗伊
您好、应用团队：
我的客户在适用于 USB 上行和下行端口应用的2x TPD3S716QDBQRQ1中拥有设计。
您能帮忙审阅原理图并提供审阅建议吗？
谢谢！
e2e.ti.com/.../USB_5F00_TUSB4020BI_5F00_Schemaitc.pdf
罗伊
尊敬的 Roy：
以下是我这次审查的结果：
1. VBUS_CON 引脚中的降额电容必须至少为1uF。 这通常在 Vbus 上满足4.7uF 电容器的要求、
2. 在引脚中 VIN 的降额电容必须至少为1uF。 这通常在 Vbus 上满足4.7uF 电容器的要求、
原理图 在 ESD+/ESD- VD 线路上具有 VD 二极管。 只有在需要8kV 以上 IEC 接触 ESD 保护时才需要使用这些保护
4. 原理图具有峰值电感 L0502、L0501、L0505、L0504、没有接地匹配的电容器封装。 省略这些电容器将限制您调整 USB 线路以实现信号完整性
前2项必须更正、第3项和第4项是对潜在系统改进的建议。
此致、
卡盘
