[参考译文] DP83867CS：10BASE-Te 合规性测试峰值差分电压结果故障

您好！

您能否提供 原理图 和 布局 检查清单中列出的问题的答案？ 这将有助于建立一个基线、通过该基线、我们可以了解是否有任何可能导致该较低电压的因素。

此致、

格罗姆

您好、Gerome

我查看了原理图和布局检查清单并添加了注释。
请查看随附的文档。

◇原理图检查清单
e2e.ti.com/.../SLVRBN1A_5F00_240402.xlsx

◇布局检查清单
e2e.ti.com/.../SNLR048A_5F00_240402.xlsx

此致、

您好！

Rbias 组合可能会是一个问题。 我们建议11k 为0欧姆。

移除外部 CMC 是否会影响电压？

PHY 到磁性元件以及到 RJ-45的布线长度是多少？ 所用电缆的长度是多少？

MDI 的阻抗是多少？

您是否还能提供磁性器件的数据表？

此致、

格罗姆

您好、Gerome

感谢您的回答。
我们将在下面回答。

> Rbias 组合可能是一个问题。 我们建议11k 为0欧姆。
我认为可以更改电阻值。
通过将 RBIAS 电阻器配置从10kΩ Ω 和1KΩ Ω 更改为11KΩ Ω 和0Ω 来进行验证。
进行上述更改后、我应该运行测试并报告结果吗？

>移除外部 CMC 是否会影响电压？
由于我们无法轻松删除所有 CMC 筛选器、因此我们目前正在研究删除它们的方法。
10BASE-Te 传输信号是 PAIRA 信号(TD_P_A、TD_M_A)。
因此、作为确认方法、我想只删除与 TD_P_A 和 TD_M_A 相连的 CMC。
上述理解是否正确？
此外、在修改过程中有可能损坏电路板、因此我将最后检查此修改。
首先、您能回答标题中的问题1和2吗？

> PHY 到磁性元件和磁性元件到 RJ-45的布线长度是多少?
◇PHY 至磁场的长度
・PAIRA (最大值) 12.3mm
・PAIRB (MAX) 10.7mm
・PAIRC (最大值) 16mm
・PAIRD (最大值) 10.7 mm

从磁性到 Ix 连接器的◇Ω 长度
・PAIRA (最大值) 7.1mm
・PAIRB (最大值) 7.1mm
・PAIRC (最大值) 8.6mm
・PAIRD (最大值) 8.3mm

>所用电缆的长度是多少?
我们使用的电缆为2.76英寸。

> MDI 的阻抗是多少?
差分阻抗为100 Ω 5%±。

>您还能提供磁性的数据表吗?
我在下面附上了磁数据表。
另外、磁体的产品名称也是 C26100。
请参阅随附数据表的第2页。

e2e.ti.com/.../LAN-transformer-Catalog_5F00_C26100.pdf

【请求事项】
我们已查看并附上了原理图和 LAUOUT 检查清单。
电路图和 LAUOUT 清单有一个 TI 反馈列、因此您能否写出该问题的答案？
另外、能否附上测试结果？

此致、

您好！

进行上述更改后，我是否应该运行测试并报告结果？

是的、请尝试这样做以查看是否有任何更改。

因此，作为一种确认方法，我想只删除与 TD_P_A 和 TD_M_A 相连的 CMC。
上述理解是否正确？
此外、在修改过程中有可能损坏电路板、因此我将最后检查此修改。
首先，您能回答标题中的问题1和问题2吗？

数据表不能保证规格、但我们正在研究优化此设计的方法、以便或许能够纠正这一问题。

删除一对 CMC 就足够了、因为您的理解是正确的。

e2e.ti.com/.../0083.SNLR048A_5F00_240402.xlsxe2e.ti.com/.../5873.SLVRBN1A_5F00_240402.xlsx

此致、

格罗姆

您好、Gerome

感谢您的回答。
我们将在下面回答。

> Rbias 组合可能是一个问题。 我们建议11k 为0欧姆。
我们在2_Board 上确认了以上内容、这是有问题的。
我将报告确认的结果。
结果表明、即使在更改电阻值后也没有改善。
・第一次：1.515V -- NG
・第二次:1.536V -- NG
・第三次:1.518V -- NG

>移除外部 CMC 是否会影响电压？
>删除 A 对 CMC 就足够了，因为您的理解是正确的。
我现在正在检查它。 我们将在稍后的时间报告这一点。

>[问题1]
>数据表不能保证这些规格，但我们正在研究如何优化此设计以也许纠正这一问题。
[Question 2](问题2)
>我认为峰值差动电压的输出随 PHY 的部件而变化。
>是否可以调节10BASE-Te 的差动电压输出?
感谢您对问题1的回答。
您还能回答问题2吗？

此致、

您好！

不过、有一些可能的方法可以调整 VoD、我希望在引入此变量之前、确保已经了解了板上的所有其他内容。

此致、

格罗姆

您好、Gerome

感谢您的回答。
我可以理解。
关于您的问题、我将在下周回答。

此致、

您好！

我将等待您的意见。

此致、

格罗姆

您好、Gerome

感谢您的回答。
我在移除外部滤波器后能够确认这一点、因此我将在下面进行报告。

在移除外部滤波器之前、我们在出现问题的2号电路板上重新运行了10Base-Te 峰值差分电压结果测试。
之后、我们在移除外部滤波器后进行了测试。
我们将在下面报告确认的结果。

1.拆卸外部滤清器之前（两个部件)
(1) 2_Board 号
①First Time：1.528[V]--失败
②second Time：1.519[V]--失败
②third 时间：1.506[V]--失败

2.拆卸外部过滤器后（两个部件)
(1) 2_Board 号
①First 时间：1.543[V]--通过
②second Time：1.528[V]--失败
②third Time：1.522[V]--失败

修改后的电压与修改前的电压相比大约提升了15mV 到20mV。
然而,虽然有些情况下结果通过,但大多数结果是失败的。

还有其他我应该检查的东西吗？

此致、

您好！

范围似乎有很大的差异。 这可能会导致错误的结果。 您能否尝试在示波器合规性软件上增加平均样本以获得更一致的测量结果？

此致、

格罗姆

您好、Gerome

感谢您的回答。

>范围似乎有很大差异。
>这可能导致错误的结果。
>您可能需要尝试增加示波器合规性软件上的平均样本以获得更一致的测量结果。

请告诉我以下几点。
我们研究了在上述10Base-Te 峰值差分电压合规性测试期间可以更改的参数。
但是、未发现增加平均样本大小的项目。
在上述示波器中增加 SW 样本的平均数量是否意味着增加测量数量？
还是意味着在10Base-Te 峰值差分电压合规性测试期间获取的平均样本数增加？

请告诉我以下几点。

[问题3]
我们目前正在与设备制造商核实、以确定是否有可能增加10Base-Te 峰值差分电压测试的平均样本数。
如果您知道如何更改10Base-Te 峰值差压测试平均值的样本数量、您能否告知我？
此外、您能否附上测量过程和测量结果？

[问题4]
我还检查了其他板、但所有板都具有低于平均值的10BASE-Te 峰值差分电压。
根据数据表、10Base-Te 的平均峰值差分电压为1.75[V](典型值)。
您能否告诉我10Base-Te 峰值差分电压合规性测试[V]评估板的合规性测试结果？
您是否获得了大约1.75V (typ)的结果？ 。 您能告诉我结果吗？

此致、

您好！

我们的理解是、上调采样值能够提供更多数据来测量平均值/真实波形。 在我们的实验练习中、我们的 Tektronix 示波器可以做到这一点、但如果此选项可用、您需要咨询示波器制造商。

与 DP83867RGZR EVM 不同、我们在测试10Base-Te 时看到~1.67V。 但是、这可归因于电路板设计的差异和元件差异。 如果您一直看到低端产品、这可能表示 MDI 内某个位置的设计错误。  

您还可以看到将 E/I 版本放在电路板上时会发生什么情况、以查看它是否也起作用。

我还注意到、您写入的是寄存器0x16 = 0xD804。 您是否可以尝试写入0xD004？

此致、

格罗姆

您好、Gerome

感谢您的回答。

>在我们的实验室中,我们有 Tektronix 示波器能够做到这一点,
>但是,如果此选项可用,您需要咨询您的范围的制造商。
我咨询了测量仪器制造商、看看我当前使用的示波器是否具有上述选项。
不过、我们测试的 KEYSIGHT 示波器不具有更改样本数的功能。

>对于 DP83867RGZR EVM，我们在测试10Base-Te 时看到~1.67V。
我想看看我是否可以使用 Tektronix 示波器检查。
您能否附上用上述 Tektronix 示波器确认的过程和测试结果？

>对于 DP83867RGZR EVM，我们在测试10Base-Te 时看到~1.67V。
请检查以下几点。
(问题1)：DP83867RGZR EVM 的安装器件是否与 DP83867E 产品相同？
(问题2)：每个 PHY 组件的10Base-Te 差分电压是否有单独的调整值、
是否针对每个组件对其进行了调整？
(问题3)：检查多个 DP83867RGZR EVM 是否有任何结果？
此外、是否没有因器件而异的变化、输出是否都约为1.67 [v]？

>您可能还想了解当您将 E/I 版本放在您的板上时会发生什么情况，看看它是否也能正常工作。
>然而,有调整 VoD 的潜在方法,
我将考虑用 DP83867E 或 DP83867I 产品替换它、看看我是否能检查一下。
但是，在实施上述措施之前，请告诉我以下几点。
(问题4)：您之前已经回答过有一个函数可以调整 VOD。
请告诉我如何调整上述 VOD。

>我还注意到您正在写入寄存器0x16 = 0xD804。 您是否可以尝试写入0xD004？
感谢您的确认。
我们稍后会检查并联系您。

此致、

您好！

此过程可在在线获取的 TekExpress 或 TDSET3手册中找到。  

实验中测得的两个电路板的电压约为1.65V 至1.68V。  

为了调整 VoD、需要使用寄存器0xA0和0xA1。 请注意、这些是修整值。  

A0[3：0]调整通道 A、而[11：8]调整通道 B。

A1[3]调整通道 C，而[11：8]调整通道 D。

此致、

格罗姆

您好、Gerome

感谢您的回答。

>我还注意到您正在写入寄存器0x16 = 0xD804。 您是否可以尝试写入0xD004？
我试过以上,但结果没有改变。
我还根据《如何为以太网合规性配置 DP838xx》(SNLA239B)、根据附录 B 中的10基本标准配置了 MDIO 寄存器、并将 PHY 设置为反向环回模式并进行确认。
设置 PHY 环回模式没有改变结果、所以测试过程没有问题。

>(问题1)：DP83867RGZR EVM 的安装器件是否与 DP83867E 产品相同？
我查看了评估板的电路图和 BOMBIST、但没有列出详细的产品名称。
因此，我想确认一下。
您能回答一下问题1吗？

>要调整 VoD，需要寄存器0xA0和0xA1。 请注意、这些是修整值。
>A0[3:0]调整通道 A，而[11:8]调整通道 B。
>A1[3:0]调整通道 C，而[11:8]调整通道 D。
感谢您的回答。
我正在检查上面的寄存器。
检查后、我想问您一个问题。

此致、

您好！

该器件通常是 DP83867的 ERGZR 版本。

此致、

格罗姆

您好、Gerome

感谢您的回答。

>要调整 VoD，需要寄存器0xA0和0xA1。 请注意、这些是修整值。
>A0[3:0]调整通道 A，而[11:8]调整通道 B。
>A1[3:0]调整通道 C，而[11:8]调整通道 D。
我们能够确认更改上述通道 A 寄存器已通过10Base-Te 峰值差分电压合规性测试。
请告诉我以下几点。
【问题1】
上述 A0和 A1寄存器存在于从通道 A 到通道 D 的路径。
上述寄存器是否普遍用于10,100和1000BASE-T？
此外、是否有寄存器只能调整10BASE-T VOD？

【问题2】
我们正在考虑将其替换为 DP83867E 产品。
我们为两个现有的 DP83867CS 电路板读取 A0和 A1寄存器、它们是 VOD 调整寄存器。
然后、我检查了从 ChannelA 到 ChannelD 的寄存器值。
选中后、发现其中包含了以下调整值、而不是固定值。
因此、我想确认 DP83867E 产品是否具有类似的值。
您能否告诉我 DP83867RGZR EVM (DP83867E 产品)的 ChannelD 的值？

从 A0和 A1寄存器读取值
A0[3:0] A0[11:8] A1[3:0] A1[11:8] A1[11:8]
①Board μ A ：06  07 06   07
②Board B ：08  07  07   05
③DP83867RGZR 评估模块:? ？ ？ ？

此致、

您好！

通常、这些寄存器并不常用、但在设计已经过检验的某些应用中、这些寄存器已被证明对 VoD 产生了积极影响。

正如我之前提到的、该值是修整值、因此寄存器内容可能会因器件的不同而发生变化。 因此、EVM 上的 PHY 也可能具有不同的值。

此致、

格罗姆

你好

我认为还需要通过更改 A0和 A1寄存器的值来再次测试100和1000BASE-T。

因此、您能否仅就第1个问题回答一下？ 。

此致、

您好！

无论速度如何、答案都是适当的。

此致、

格罗姆

你好

您是否知道更改 A0和 A1寄存器可能会影响10/100/1000BASE-T 测试？

请选择"是"或"否"。

此致、

您好！

当处于1G、100Mbps 和10Mbps 时、该寄存器也会更改 VoD。

此致、
格罗姆