[参考译文] LMG3622：通常开启、通常关闭

您好 Ryusuke、

您的陈述是正确的、但我想为您补充更多信息、以帮助您理解。

传统的 D 模式 GaN FET 是通常导通的器件、不适合开关模式电源应用。 开关器件通常需要阻断电压、以防止击穿现象。 此外、D 模式 GaN FET 需要高负电压(-14V)才能关断。 将 D 模式 GaN FET 变为常关器件的最简单方法是在共源共栅配置中添加带有 GaN FET 的硅 FET。 这种方法有缺点：硅 FET 会在每个周期内进行开关、并且会增加系统中的开关损耗。

TI 对 D 模式有一种不同的方法：我们不使用共源共栅配置、而是使用直接驱动。 我们的 GaN FET 由栅极驱动器直接驱动、该栅极驱动器产生-14V 电压以关断 FET、因此 TI GaN D 模式需要外部小型电感器和电容器。 此 L 和 C 用于降压/升压电路、此电路生成-14V 电源轨以用于栅极驱动。 硅 FET 也用于直接驱动 GaN FET、但功能不同。 此硅 FET 与 GaN FET 串联放置、不进行开关、仅用于安全目的。 如果 GaN FET 因某种原因损坏或没有收到足够的功率、硅安全 FET 将关闭以防止击穿。

谢谢！
Zach S