[参考译文] SN6507：SN6507与 SN6501

当电流达到定义的阈值时、逐周期电流限制会关断器件。 该器件尝试重新启动、并假设输出端仍然存在短路、则关断/重启周期会无限期重复。 与峰值电流模式控制中使用的电流检测电阻器过热存在的问题类似。  

Steve

我建议不要从 Wurth EVM 中移除"噪声分量"。 与 SN6507相比、SN6501内部开关具有更高的 RDS、更弱的驱动电流和更慢的 dv/dt 边沿速率。 这是否意味着 SN6507会产生"更多噪声"-不一定是？ SN6507内部开关具有更低的 RDS、更高的驱动电流和更快的 dV/dt、这意味着与 SN6501相比、SN6507的开关更快地能够更轻松地刺激漏电感、寄生变压器电容、寄生 PCB 元件等。 因此、SN6507具有旨在减少 EM 谐波的 SSC 和 SR 控制功能、而 SN6501中不需要或不包含这些功能。 据我所知、 WE-Eval-Board 经过优化、符合 CISPR 32 CE/RE EMI 标准、因此如果您开始移除/更改 Wurth 可能具有的元件以缓解 EMI、请务必谨慎操作。

此致、

Steve

您好、Steve

感谢您的澄清。 我想尝试推挽式拓扑的原因是、与反激式拓扑相比、噪声更低。 我们目前使用 Recom 的 RP-2424S/P、这真的很昂贵、因为我们不需要高隔离也不是必需的。

问题是,我真的是有限的空间(即使需要 EMI 组件的 Recom 是微小的)。 不能在评估板上添加 Wuerth 所做的所有其他无源器件。 因此、我 将所有内容更改为与 SN6501配合使用的设计。 使用最慢的压摆率时、结果是可以的、我可以摆脱 SN6501所需的电流限制电路。 也许我尝试 向 SN6507的驱动引脚添加一个微型铁氧体(例如74279228600)、看看这是否起作用。

此致