[参考译文] SN6507-Q1：最大输出电容

您好、Vishwas、

上述2A 电流是连续输出要求还是负载瞬态期间的峰值电流？ 如果是负载瞬态、持续时间是多长？  

对于 SN6507  、在软启动期间禁用过流保护。 软启动完成后、启用 OCP。 如果由于短路而导致隔离式输出端出现极端过载的情况、则器件的行为如下：  

1.  如果发生瞬态过载或短路、如果 SS/ILIM 引脚上产生的电压骤降低于2.5V (典型值)、则器件将其视为"软短路"情况。 在软短路中、转换器进入间断模式：在达到编程的 OCP 阈值时、驱动器将关闭100ns (典型值)、然后重试驱动。 如果 OCP 再次跳闸、则循环继续。 该重试在 SW1和 SW2的整个 TON 时间内持续发生、直到 OCP 不跳闸或触发"硬短路"。 在 OCP 重试事件期间、两个 FET 都关闭、瞬态峰值电流可能会高于 OCP 限制。
2. 如果电压骤降超过2.5V (典型值)、则器件将其视为"硬短路"情况。 硬短路 OCP 阈值固定为5A (典型值)。 如果硬短路状态持续时间超过200 μs、则表明系统处于严重的短路故障状态、清除短路后、器件会将软启动电容器完全放电并进入软启动。 请注意、有一个65ns (典型值) 触发硬短路 OCP 的响应时间。

此致、S Mathew。  

您好、Mathew、

实际上、我在推挽输出端使用 DRV3901-Q1、因此2A 的电流仅为0.5ms。

谢谢！

尊敬的  Vishwas：

SN6505典型软启动时间为 4.25ms、能够支持所需的 负载瞬态。 但是、如果输出电容值高于指定值、器件将进入 OCP 模式。 如果电容值较高、最好使用一个额外的压摆率控制电路。

此致、S Mathew

您好、Mathew、

好的、明白。 此外、我需要直接使用外部 MOSFET 设计 SN6507-Q1、因为在部署期间、它将需要2A 的时间并持续0.5ms、因此器件将进入电流限制。

谢谢！

您好、Mathew、

好的、明白。 此外、我需要使用外部 MOSFET 设计 SN6507-Q1？ 因为在部署期间、电流将为2A、持续时间为0.5ms、所以器件将进入电流限制、需要避免这种情况。

如果我想使用外部 MOSFET 设计 SN6507/SN6505B、MOSFET 的栅极将始终导通、在初始条件下、两个 MOSFET 都将导通。  

那么、使用该配置、软启动将无法正常工作？

此外、 由于两个 MOSFET 都导通、系统将发生什么情况？

参考链接： 用于隔离式栅极驱动器电源要求的12V 变压器驱动器-隔离论坛-隔离- TI E2E 支持论坛

谢谢！

尊敬的  Vishwas：

是的、您的理解是正确的。 在上述配置中、两个  MOSFET 都将导通、电流可能无法根据需要进行控制。 此设计需要在次级侧进行压摆率控制和电流控制以确保正常运行。 请检查是否可以使用  TPS25947类型器件来实现可调压摆率和电流。

此致、S Mathew。  

您好、Mathew、

好的、根据建议、我们可以使用  TPS25947实现浪涌电流和峰值电流。

但是、在初始条件下、当两个 MOSFET 都在变压器的初级侧时、会充当短路吗？ 那么就会给右侧变压器带来问题。

谢谢！

尊敬的  Vishwas：

在此配置中、D1和 D2是开关节点、而 T1、T2栅极将遵循相同的开关模式。  

此致、S Mathew。  

您好、Mathew、

"对不起,我不能接受。"

您好、Mathew、

我还有一个问题。 假设软启动时间为5ms、电容器为1mF。

要充电至14V、需要2.8V 的浪涌电流。

数据表中提到、在软启动期间、过流保护将被禁用。

因此、器件能够在不关闭内部 MOSFET 的情况下处理此电流吗？

或者结温是否会上升并进入热关断状态。 如果是、您能否分享计算器您考虑的因素。

谢谢！

尊敬的 Vishwas：

建议的最大开关电流为0.5A。 如果 器件开关时间过长 超过指定条件、SN6507的小芯片将发热并可能达到170°C 的热限制和关断。   

此致、S Mathew。  

您好、Mathew、

好的、明白。

我可以看到  TPS25947不符合 AEC 标准。 任何其他替代器件？

谢谢！