[参考译文] ISOW1432：预期的电流/耗散是多少？

您好 Ian

感谢您的联系。

您能分享一个原理图和布局、以便我们更好地对此进行审阅吗？ 220mA 似乎确实在较高的方面。

您能将 Mode 引脚设置为低电平并再次检查吗？

此致
Varun

导通隔离式 Vout 引脚 12/引 脚 11 时出现错误。  5V 输入电流 220mA

正常导通、5V 输入电流 14mA

好的导通是在很多黑客攻击后尝试不同的东西,包括从电路板上抬起 IC 的整个隔离侧,仍然有问题。

在黑客攻击之后、移除了 2 个铁氧体磁珠并将焊盘短路。

电路板 A004 绘制 440mA！ 隔离式 Vout 的情况

注意不同的时间标度。

我已经使用万用表和示波器检查了 MODE 引脚是否处于低电平

当它汲取大量电流时、我可以听到嗡嗡声。

尊敬的 Ian：

感谢您提供详细信息。 这里有几点和问题：

1. 关于您提供的数据的问题：
   1. 您能否清楚地说明在错误的开启后、良好的开启发生了哪些变化？
   2. 观察时 VIO 是否已通电？
      1. 如果没有、则还需要为 VIO 上电、以进行电压调节和电源转换器的电流消耗。
   3. VISOOUT 和 VISOIN 也应始终短接、才能使调节正常工作。
      1. 也可以使用铁氧体磁珠进行短接。
   4. 当 IDD 电流位于较高侧时、您看到的 VISOOUT 值是多少？
2. 原理图反馈：
   1. VDD 和 VISOOUT 上的电源去耦电容不符合数据表中提到的最小建议去耦电容、尤其是两端都缺少 10nF 电容
      1. 铁氧体磁珠 (FB6) 不应位于引脚 12 (VISOOUT) 的预期去耦电容器之间、而应位于 VISOOUT 和 VISOIN 去耦电容器之间。
      2. 为了实现 ISOW1432 的最佳性能、还请遵循数据表中给出的严格布局指南

此致
Varun

1A 我不知道为什么一个器件开始正常工作

1b VIO 始终开启

1C 隔离式电源输出通常连接到隔离式电源输入端、而 2 个输出接地端则连接在一起

1D VISOUT 通常为 3.3V、从示波器屏幕截图中可以看到

2A 我已在引脚 11 和 12 之间试验了额外的去耦电容器、但未解决问题。