工具/软件:
您好、
请您就 Ton/Toff 时间提供一些指导:
1) 这些可能如何随温度变化 — 它仅在 RTP 上列出。
2) 是否没有列出最小值/最大值、因为它与电路有关? 是否有任何方法可以对我们的设计进行估算? 我们得出 Vcc=3.3V、RL=3.3k、1.5mA。 CL 未知、但由于它连接到列出 4pF 的 SN74LVC2G14DBVR、并且布线相对较短、我们假设其电压低于 50pF。
非常感谢
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工具/软件:
您好、
请您就 Ton/Toff 时间提供一些指导:
1) 这些可能如何随温度变化 — 它仅在 RTP 上列出。
2) 是否没有列出最小值/最大值、因为它与电路有关? 是否有任何方法可以对我们的设计进行估算? 我们得出 Vcc=3.3V、RL=3.3k、1.5mA。 CL 未知、但由于它连接到列出 4pF 的 SN74LVC2G14DBVR、并且布线相对较短、我们假设其电压低于 50pF。
非常感谢
您好、Andrew、
非常感谢您提供此信息并指出图示。 看到 Ton/Toff 随着温度升高而下降是很有用的。
是否有关于 Ton/Toff 如何因器件的批次而异的任何指导?
另外、我是否正确理解、由于 TS (storange) 时间被列为最大 21uS @ 25C(根据图 6-29,可能随着环境温度而改善)、我是否可以假设我们的绝对最坏情况 tOFF 为 (21us+TR)、如图 7-3 所示?
是否有任何类似的设备可以大幅缩短 Tstorage 时间? 如果可能、我们希望获得更快的响应。
非常感谢
你好、PJs、
我能假设我们的绝对最坏情况 toff 为 (21us+TR)、如图 7-3 所示?
是、TOFF = TS + TR(根据图 7-3)。 但是、您可以针对给定的典型应用曲线使用最坏情况下的典型值、从而为测试用例获得更好的值。
请注意 TR
请告诉我载波频率吗?
很遗憾、我目前不能公开分享此信息。 如果您担心某个特定频段、请告诉我。
这比列出的 2.5uS 下降时间短? 我假设这同样与电路负载有关、但我们需要一些指南来了解如何正确确定我们的设计的这些时序。[/报价]在与我们的团队成员进行快速讨论后、我意识到这不是那么简单。 我们需要注意测试条件、以确保输出晶体管处于饱和模式(用作开关)。
- 如果* CTR >> IC_max、则会实现饱和模式(ISOM 充当开关时)
- 当测试条件从 VCC = 5V 开始时、Ton、Toff 和 TS 中显示了饱和模式规格。
- 您将注意到提供了两种条件来显示器件处于饱和模式、具有强 IF (16mA) 和较弱 IF (1.6mA)。 典型应用曲线通常使用 1.6mA 测试条件。
- 当 IC_max > IF * CTR 时、ISOM811x 处于工作模式(模拟行为)。
- 当测试条件从 VCC = 10V 开始时、可以识别 tr、tf、Ton 和 Toff 的工作模式规格。
在计算时序参数时、请使用饱和模式规格。
此致、
Andrew
您好、
是的、最坏情况 TS 不太可能发生。 请记住、TOFF 测量中包含 TS (max)(图 7-3)、提供的 TOFF 是典型值。
数据表显示、与不饱和模式相比、饱和模式将具有更快的开关性能(在规格中,IF = 16mA 甚至更快)。 红色框是非饱和时序。 此处的 TON + TOFF 共同为 19.4us、比饱和(在 1.6mA 下)TON + TOFF (15.3us) 慢。 因此、饱和性能更快。
此致、
Andrew