[参考译文] ISO1540：用作电压转换器 — 信号失真

尊敬的 Varun：

1. 由于总线上没有添加到 MCU 的专用电容器、因此 I 估计的电容小于 40pF。 引线的电容和芯片自身的电容都是一样的。

2. 当然, 从侧 1 的总线 直接连接到 MCU ,而不是其他任何地方。
  a.关于 MCU 上的 VIL、 下图中所示的数据如下：

MCU 由 3.3V 电源供电、因此此处应该不会出现问题。

3、完成后,解决了第一点问题。

4.附近有去耦电容器,下面有接地层。

SIDE1 SCL 线路上的缓慢上升仍存在问题。  我想知道侧 1 上的上拉电阻器的阻值应该是多少才能达到最大速度？

尊敬的 Gozard：

感谢您提供详细的意见。  我在下面的输入：

附近有去耦电容器、下方有接地平面。

根据共享的布局、 布线长度似乎在较高侧、并且在电容器和引脚之间穿孔了一个过孔、从而为 C173 增加了更高的电感。 这可能会影响器件在电压和温度角范围内的出色性能

能否将去耦电容器焊接到销钉上一次并再次检查？

我想知道侧 1 上拉电阻器的值应该是多少才能达到最大速度？

根据之前的示波器屏幕截图、具有 4.7k Ω 的 SIDE1 信号的上升时间似乎接近 1us。

在侧 2 上安装的上拉值是多少？安装上拉后、侧 2 的上升时间是多少？ 您能分享一下相关的示波器屏幕截图吗？

我试图了解仅 SIDE1 或侧 2 在两侧都存在上拉电阻时上升时间是否也是问题。

此致
Varun

侧边 2 上的上拉电阻值为 4.7K；在 SIDE1 上、上拉电阻值为 2.7k

示波器拍摄如下：

黄色输入信号引脚 7

红色输出信号引脚 2  

如果侧 1 上拉电阻的值为 4.7K、则上升时间的值不同

我想知道侧 1 的上升时间是否也取决于侧 2 上的上拉电阻器？

您能否将去耦电容器焊接一次并再次进行检查？

BTW：我直接在片式外壳顶部焊接了值为 470nF 的去耦电容器、但没有明显的性能改进。