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[参考译文] ISO7741-Q1:数据表差异 — 器件与封装隔离电压限制间的关系- DWW 与 DW

Guru**** 2500675 points
Other Parts Discussed in Thread: ISO7741-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/1556189/iso7741-q1-datasheet-discrepancies---silicon-versus-package-isolation-voltage-limitations---dww-vs-dw

器件型号:ISO7741-Q1


工具/软件:

我最近提到了 ISO7741-Q1 的 DWW 封装版本、其额定电压比 DW 封装高 33%。

我注意到数据表中有许多奇怪的地方、这些地方会引导我提出问题:

数据表第 32 页关于隔离栅:“根据 TDDB 数据、固有绝缘能力为 1500VRMS、寿命为 36 年。“ 此外、它还说、“ DWW-16 封装的绝缘耐受能力为 2000VRMS、相应的寿命为 34 年。“ 最后、图 8-7 似乎与所有器件共用。


如果器件的额定电压仍仅为 1500Vrms、DWW 封装器件的额定电压如何为 2000VRMS? DWW 器件是否刚好在预期寿命更低的情况下运行? 或者 DWW 封装是否应该有具有更高 TDDB 线的单独图?

最后、如果封装是限制因素、我们是否可以在外部采取任何措施(例如灌封以防止表面击穿效应)来有效提高工作电压?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、John:

    该器件本质上能够支持 2000Vrms 的工作电压;DW 和 DWW 的不同电压是由封装爬电限制引起的。

    是的、灌封可用于改变污染等级、从而提高工作电压。

    谢谢、
    Saleem