主题中讨论的其他器件: UCC21750-Q1、 SN6505B
我们已筛选出用于驱动 UCC21750-Q1 SiC MOSFET 驱动器的 SN6505B-Q1隔离式电源。
可从 SN6505B-Q1获得的最大功率输出是多少?
我们计算出峰值功率= 21.4W @ 17.3V、但仅在89ns 的 MOSFET 导通时间期间。
在这种情况下、如何计算 RMS 和平均功耗以确定所需的功率容量?
这将帮助我证明 SN6505B-Q1能够提供所需的功率来开启 SiC MOSFET。
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我们已筛选出用于驱动 UCC21750-Q1 SiC MOSFET 驱动器的 SN6505B-Q1隔离式电源。
可从 SN6505B-Q1获得的最大功率输出是多少?
我们计算出峰值功率= 21.4W @ 17.3V、但仅在89ns 的 MOSFET 导通时间期间。
在这种情况下、如何计算 RMS 和平均功耗以确定所需的功率容量?
这将帮助我证明 SN6505B-Q1能够提供所需的功率来开启 SiC MOSFET。
您好、Abhishek、
感谢您关注 SN6505B-Q1。
该器件支持高达1A 的输入电流和5V 输入电压、对应的最大输入为5W。 假设效率为85%、则最大输出功率估计为4.25W。 对于17.3V 输出、基于 SN6505B 的解决方案能够提供高达245mA 的输出电流。
为了估算驱动 MOSFET 所需的平均电流、让我们假设:
平均 MOSFET 电流=峰值电流*导通时间/时间周期= 1.24A * 100ns / 100µs μ s = 1.24mA。
因此、即使 MOSFET 开关频率增加、SN6505在支持此要求方面也不应有任何问题。 谢谢。
此致、
Koteshwar Rao
您好、Abhishek、
平均电流仅取决于 MOSFET 导通期间的时间。 其他外部组件导致的传播延迟和延迟不会增加开通时间、而是仅会延迟开通过程。 因此、您的平均电流公式仍然相同。
MOSFET 开通时间 = | 上升时间 |
MOSFET 峰值栅源电流= | 所需的栅极电荷/导通时间 |
平均 MOSFET 电流= | 峰值电流*导通时间/时间周期=所需的栅极电荷/时间周期 |
此致、
Koteshwar Rao
谢谢 Michael。
您好、Abhishek、
关于560Ω Ω 电阻、我假设您是指与栅极串联使用的电阻器。 串联栅极电阻确实会影响上升时间和峰值电流、同时保持其乘积不变、即峰值电流(IP)*上升时间(tr)=栅源电荷(Qgs)。 串联电阻越高、峰值电流越低、上升时间也越长。 平均电流仍将保持与之前相同、因此、先前共享的公式仍适用。
我希望回答你的问题,谢谢。
此致、
Koteshwar Rao