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器件型号：ISO7841 主题中讨论的其他器件：ISOW7841、
我看到 ISOW7841 (3/1数据+集成电源)和 ISO7841 (3/1数据、无电源)的 V_IOWM 额定值非常不同：
- ISOW7841 DWE (>8mm 间隙/爬电)：
- 1000V RMS 或
- 1414V 直流
- 图42 1184年的1000V RMS
- ISO7841 DW (>8mm 间隙/爬电)：
- 1500V RMS 或
- 2121V 直流
- 图1：1500V RMS、持续135年
- ISO7841 DWW (>14.5mm 间隙/爬电)：
- 2000V RMS 或
- 2828V 直流
- 图2：34年的2000V RMS
我有一个应用需要在1600V 直流轨顶部的分流电阻器上测量1V 电压、该电压可能在无负载的情况下高达1850V。
根据我的解释、似乎所有这些器件的实际基本绝缘寿命完全相同、只是为数据表选择了绝缘寿命投影上的不同"最佳"点。 我知道、较宽的 DWW 器件具有较高的爬电距离和间隙、可实现更高的安全工作电压(因此、它进一步降低了寿命预测、寿命仅为34年、而不是134年)。
但是、我不明白为什么 ISO7841DW 的额定值高于 ISOW7841DWE。 它们是否在相同的寿命投影曲线上运行？
另外、ISO7841DWW 实施方案实际需要高 V_IOWM 额定值、建议使用哪种电源？
谢谢、
Brian
