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[参考译文] EMI/RFI 屏蔽

admin
Guru**** 1761415 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS2388
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/770765/emi-rfi-shielding

主题中讨论的其他器件：TPS2388

您好、社区

我会就如何正确地组合机箱接地和数字接地向您提出建议。 我的疑问与我研究的大量文档以及我在 Altium Designer 电路板的参考设计库中能够获得的示例有关。 AN2587 http://ww1.microchip.com/...ppNotes/00002587A.pdf -图7-3显示了通过窄导体在一层土地内的陆地面积、还显示了 DGND 和 CGND 之间所需的间隙。 但在 Altium 的示例和 TI 的一些文档(EMI/RFI 屏蔽- slideplayer.com/.../)中 、使用了2kV 电容器(1-4.7nF)和1-10MOhm 电阻器。 那么、将陆地相结合的最佳方法是什么？ 你怎么看？
 
P.S. 我的应用程序包含一组应用程序、例如：
-具有内置变压器和分接地的以太网。
－采用金属化外壳的 RF 天线。
-其他。
 
此外、我的器件由来自 MeanWell GST 系列的外部网络适配器供电、但同时它具有金属外壳、与接地的外部金属结构接触。  外壳的接地通过金属化孔到达电路板、这些金属孔连接到器件的外壳。

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    TI__Guru**** 1761415 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    大家好、Evgeniy、

    感谢您使用 E2E 论坛。
    我的一位同事已通知 EMI/RFI 屏蔽演示文稿的作者、您在帖子中提到了该演示文稿以查看您的查询。 同时、如果您可以分享有关您的应用和相关方框图的更多详细信息、也会有所帮助。 谢谢。


    此致、
    Koteshwar Rao
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    TI__Guru**** 1761415 points
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    示例：

    Xilinx Spartan 3AN (NB3000XN)：

    接地沿着所有层上整个板的轮廓进行、并在两个组件 C87 (2kV 4.7nF)和 R111 (10MOhm)的帮助下具有一个合并点、在连接器的位置有一个环路断开。

    TI 演示( -幻灯片46)：

    接地沿着所有层上整个板的轮廓进行、有多个滤波器安装点(CX1、CX2、CX3、CX4 - 2kV 100nF)和一个统一点(RX - 1MOhm)、接地回路、不会断裂。

    Microchip AN2587 ( -图7-3)：

    接地由单个环路执行、不会发生中断(电流环路或天线是否可行？)、不会有连接点、信号之间具有3.175mm 的绝缘。

    PDF 格式的应用程序：

    e2e.ti.com/.../3835.block.pdf

    我对机箱接地和接口连接器(以太网和其他连接器)的正确架构感兴趣、仅在我的 CASE2器件内(case1不是我的职责范围、因此我们不会在特定情况下考虑它)。

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    TI__Guru**** 1761415 points
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    大家好、Evgeniy、

    感谢您分享更多信息。
    我不是本主题的专家、但我认为您的问题的答案很大程度上取决于产品需要满足的 EMI 要求。 我们通常会针对特定器件(如数字隔离器、ADC、放大器等)对 PCB 布局进行评论或提出建议 要评论为应用选择的机箱 GND 架构、我认为需要在终端应用方面拥有专业知识、这一点我不能接受。 因此、拥有最终产品设计专业知识的人应该能够更好地回答您的问题。

    很抱歉、我没有为您的问题提供答案、如果您的问题与特定的 TI 器件有关、我可以帮助您将此问题直接发送给合适的人员。 谢谢。


    此致、
    Koteshwar Rao
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    TI__Guru**** 1761415 points
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    您好、Koteshwar、

    我的应用与 TPS2388EVM https://www.mouser.it/ds/2/405/sluubq7-1144960.pdf 几乎相同。 在这方面、TI 工程师选择了两个电容器 C17、C18更改为2kV/2200pF、以及他为何未将电阻器设置为1-10MOhm、正如另一位 TI 工程师在其演示(slideplayer.com/.../3430548 - RX)中所述、 以及在第2层上隔离多边形的间隙值(图13)。 他是否选择了这个值、为什么选择这个值(标准值还是其他值？ (他遵循了什么)因为 Microchip 是指 IEC61000-4-2、其中它应该是3.175mm、其外观比 TI 工程师使用的要宽)？

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    TI__Guru**** 1761415 points
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    大家好、Evgeniy、

    感谢您详细阐述您的问题、并提及您的问题与器件密切相关。
    我相信演示(slideplayer.com/.../3430548)中提出的建议 与称重秤终端产品有关、而 TPS2388EVM 上的实施针对 PoE 产品进行了优化。

    我将通知两位作者/产品代表、以帮助他们就所选组件发表意见。

    此外、我还想向大家分享一份介绍 EMI/RFI 电路板设计的应用手册(链接如下)、它可能会帮助您解决有关 EMI/RFI 的一些问题。 谢谢你。

    www.ti.com/lit/an/snla016b/snla016b.pdf


    此致、
    Koteshwar Rao
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    TI__Guru**** 1761415 points
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    您好、Koteshwar、
    感谢您提供的信息、我一定会检查您提交的文档。 此外、我还在等待 TPS2388EVM 电路板作者对某些解决方案选择的解释以及演示。
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    TI__Guru**** 1761415 points
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    大家好、Evgeniy、

    C17和 C18是 ESD/浪涌的额外共模路径。 从 ESD 的角度来看、能量/浪涌将找到最低的路径阻抗。 在大多数情况下、当 PSE 设计本身提供接地(机箱)连接时、它是接地(机箱)连接。 但是、在某些情况下、例如在采用塑料封装且没有接地外壳的中跨应用中、可以在 PSE 的高压输入端(50V GND)进行接地连接。 在某些适配器中、适配器的输出接地将连接到接地。 在本例中、C17/18将允许通过 TPS2388EVM 原理图上的"GND"进入接地路径。

    因此、C17和 C18并非绝对必需、我们已经看到、在需要进行已知接地连接的设计中、C17和 C18已被删除。

    请注意、我尚未看到一个与高压电容器类似的1M 以上电阻器连接到 PoE PSE 侧的接地端。 我在 PoE PD 设计中多次看到过它、它有助于在 ESD/浪涌期间控制从机箱上残留电荷到接地的放电。 但是、我看到的大多数设计都不包含该组件(或者它是一个未组装的组件、在测试过程中必要时使用)。

    此致、
    达尔文
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    TI__Guru**** 1761415 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、达尔文、
    感谢您的详细回答、您几乎确认了我的假设。 如果您不确定具体情况(无论是否存在-在我的情况下、这两种情况都是可能的)、我会请您提供有关如何操作的建议。 但同时、它们会为您的器件提供金属外壳、您是否安装了 C17和 C18等电容器、以提供额外的 ESD/浪涌共模路径？ 请解释您在第2层多边形之间选择的间隙宽度(图13)。 以及它的值(以毫米为单位)是多少？
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    TI__Guru**** 1761415 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    大家好、Evgeniy、

    如果不确定 EVM 设计人员可以评估不同方法的情况、我会根据需要进行连接和组装/未组装。 能量将通过两条路径中的任何一条、具体取决于其在系统级的连接方式。

    如果存在金属外壳并连接到接地端、则大部分浪涌将流过该处。 在浪涌测试中、我们知道我们要将机箱连接连接到接地系统、因此我们没有 C17/C18连接。

    接地平面和任何其他平面之间的间距将取决于高电压要求(1kV 高电压将具有比2kV 更宽的间距)。 设计人员通常具有由安全工程师或公司要求规定的间距规则/法规。 TPS2388 EVM 在两个平面之间具有50mil (1.27mm)的间距。 一般而言、我在 PoE PD EVM 上遵循20V/mil 最小间距。
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    TI__Guru**** 1761415 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、达尔文、
    您已尽可能完整地回答了我的问题。 感谢您提供计算绝缘间隙的公式。