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[参考译文] ISO1212EVM:将100V 输入更改为300V

Guru**** 2386330 points
Other Parts Discussed in Thread: ISO1212EVM, ISO1212
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/isolation-group/isolation/f/isolation-forum/813164/iso1212evm-changing-100v-input-to-300v

器件型号:ISO1212EVM
主题中讨论的其他器件: ISO1212

如何将 ISO1212EVM 的100V 输入修改为300V。  我参考的是显示 ISO1212EVM 原理图的图7。  Thx

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    Dan、您好!  

    您希望输出切换的阈值电压是多少、系统的最大输入电压是多少?

    您需要移除任何额定电压不足以达到足够高电压的组件(例如二极管)。  

    您可以将 C3和 C4的封装用于 RSHUNT。  

    然后、我们只需为您的系统确定 RSENSE、RTHR 和 RSHUNT 的电阻器值、并适当地填充它们。 您可以使用 本 TI 技术手册中的 Excel 工具 来确定电阻器值。 我更改了具有120V 阈值的240V DC 的值。  

    此致、  

    Dan

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    我们需要为您的芯片提供输入保护。  我们必须使用哪种保护。  此外、我们还需要您的电路评估板以  最小100V 至最大300V 的电压工作、阈值为60V。

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    我应该如何处理使能引脚????? 已连接 至 VCC1???

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    亚伯拉罕和丹、您好!

    ISO1212及其 EVM 可使用齐纳二极管或 TVS 二极管、保险丝和其他典型保护元件进行保护。 在选择保护组件(例如齐纳二极管)时、请选择其安全电压、使其足够高、不会干扰正常运行、但足够低、能够保护系统。 在此示例中、齐纳电压为315V - 360V 的齐纳二极管就足够了、例如330V。

    要在第1侧启用输出、请将 EN 引脚连接到 Vcc1、否则您可以将其保持悬空。 使用4.7kΩ Ω 电阻器将 EN 连接到 Vcc1将使输出保持可靠启用。 在 EVM 上、可通过将引脚1和2与跳线 J3相连来启用输出、如 EVM 用户指南中所示。

    有关在100V - 300V 范围内以设置的60V 阈值进行输入电压调节的问题、请等待隔离团队下周的回复。 Dan Kisling 不在办公室、下周初将返回。


    感谢你能抽出时间、
    Manuel Chavez

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    你好、Manuel。。。 随附  的是针对我的应用程序100V...300V 的修改、让我们的团队检查它

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    您好、Abraham、

    很抱歉耽误您的回答。  

    这些值看起来非常好。 我的一个问题是在模块输入端将看到多少电流。 使用我链接的文档中的计算器、我们可以看到以下内容:

    输入变量

     

    最小

    典型值

    最大

    RSENSE (Ω Ω)(必须< 562)

    562.

    流经 ISO121x 的电流(mA):

    2.03

    2.25.

    2.54.

    RTHR (μ kΩ)

    18

    VIH (高阈值) V

    72.56.

    78.22.

    85.10.

    RSHUNT (μ kΩ)

    5.

    VIL (低阈值) V

    66.35.

    72.70

    80.27.

     

     

     

     

     

     

    模块输入电压、VIN (VDC)

    300

    所选输入电压(VIN)上的模块输入(IIN)电流(仅对 VIN>VIH 有效)

    13.48.

    13.53.

    13.60.

    模块输入端允许的最大电压(VIN_MAX) V

     

     

    312.45.

    电流大约为几十毫安。 这意味着我们必须适当调整电阻器的大小。 只需查看阈值电阻器:它必须能够耗散~3.3W 的功率。

    如果可能、最好是阈值电压约为输入电压的一半。

    例如、如果我们需要300V 输入和150V 阈值、我们可以选择以下值:

    输入变量

     

    最小

    典型值

    最大

    RSENSE (Ω Ω)(必须< 562)

    560

    流经 ISO121x 的电流(mA):

    2.03

    2.26.

    2.55.

    RTHR (μ kΩ)

    56.

    VIH (高阈值) V

    141.64

    155.52.

    173.20

    RSHUNT (μ kΩ)

    22.

    VIL (低阈值) V

    136.85.

    151.27.

    169.48.

     

     

     

     

     

     

    模块输入电压、VIN (VDC)

    300

    所选输入电压(VIN)上的模块输入(IIN)电流(仅对 VIN>VIH 有效)

    4.42.

    4.48.

    4.57.

    模块输入端允许的最大电压(VIN_MAX) V

     

     

    326.53

     

    如果我们需要具有60V 阈值的110V 输入、我们可以使用以下值:

    输入变量

     

    最小

    典型值

    最大

    RSENSE (Ω Ω)(必须< 562)

    560

    流经 ISO121x 的电流(mA):

    2.03

    2.26.

    2.55.

    RTHR (μ kΩ)

    20.

    VIH (高阈值) V

    51.63.

    56.64

    63.00

    RSHUNT (μ kΩ)

    50

    VIL (低阈值) V

    49.74.

    54.96.

    61.53.

     

     

     

     

     

     

    模块输入电压、VIN (VDC)

    110

    所选输入电压(VIN)上的模块输入(IIN)电流(仅对 VIN>VIH 有效)

    3.02

    3.18.

    3.39.

    模块输入端允许的最大电压(VIN_MAX) V

     

     

    124.64

    请注意输入模块上的电流是如何显著降低的。

    此致、

    Dan

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    输入端的保护...芯片的最大 电压为60V 齐纳二极管或 TVS 的额定电压必须达到60V??

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    您好、Abraham、

    是的。 齐纳二极管与 Cin 并联(D1、D2、D3...) 额定电压应防止超过60V 的电平。 按照我之前提到的方法、可以使用齐纳电压为62V - 66V 的二极管。 315V 齐纳二极管应放置在面向系统输入的高侧(原理图右侧)。


    谢谢、
    Manuel Chavez

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    您好、Manuel、

    请检查我的图表。。。

    是否正确>> 我必须将315X 齐纳二极管放置在您之前的注释中所述的位置。  

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    您好、Abraham、

    图像被裁剪后、无法看到315V 二极管、但电阻器和60V 二极管确实出现在正确的位置。 我建议您选择大于60V 齐纳二极管电压的齐纳二极管、并为 Rth 和 Rshunt 选择能够耗散多瓦功率的功率电阻器。 如有必要、可在 SMD 封装中找到 Rth、如 SMF518KJT。

    您想让我回顾一下显示315V 齐纳二极管的更大原理图吗?


    谢谢、
    Manuel Chavez

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    您好 Manuel  

    如图所示。 我不知道在哪里放置315V 齐纳二极管...

    您能告诉我它的放置位置吗

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    您好、Abraham、

    我对这种混乱表示歉意。 315V 齐纳二极管可作为保护器件在每个通道上的保护元件放置、如下所示。


    我希望这对您有所帮助! 请告诉我您的想法。


    感谢你能抽出时间、
    Manuel Chavez

    PSA:在后续文章中、澄清了放置在 ISO1212输入引脚附近的~60V 齐纳二极管比放置在电路板输入附近的315V 齐纳二极管更能有效地保护 IC 免受过压影响

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    您好 Manuel

    但您的输入需要保护 ...规格最大60V...

    因此、我将在您的芯片的输入端使用齐纳二极管、如图所示

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    亚伯拉罕、大家好、

    由于电阻器值是一个微不足道的更改、因此我将在此 主题上发布一个共享的更新系统原理图


    电阻分压器的比率类似、但我需要确认这将保持我们预期的高电压兼容性和60V 阈值。 不建议拆下~60V 齐纳二极管以保护 ISO1212。 实际上、60V 齐纳二极管优于315V 齐纳二极管、因为它最靠近器件并可提供专用保护。

    由于我认为我们没有指定此值、因此该测试中是否需要特定的瞬态或过压条件?


    感谢您发帖到 E2E!
    Manuel Chavez

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    您好、Abraham、

    为清楚起见、下面是您的回答副本:



    正确整合了60V 齐纳二极管、使315V 齐纳二极管成为冗余二极管。 315V 齐纳二极管不是保护 IC 所必需的、但如果系统中有部分未显示、并且需要大于300V 的保护、它将非常有用。

    对于5.6kOhm 和20kOhm 电阻器、这种组合可使 EVM 在模块输入端接受高达315V 的电压、并将电压高阈值设置为~82.5V、将电压低阈值设置为~77V (如 前面提到的计算器所示)。 如果您可以接受、请告诉我。 感谢您对这些回答的耐心。


    祝你度过美好的一天!
    Manuel Chavez

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    它看起来很好

    感谢你的帮助

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    亚伯拉罕

    不用客气!


    祝你一切顺利、
    Manuel Chavez